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유무기 하이브리드 페로브스카이트를 포함하고,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4 또는 ABX4 의 결정구조를 포함하고, 상기 A는 유기 암모늄이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로젠 원소이고, 상기 n은 2 내지 6사이의 정수이고,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 상기 ABX3, A2BX4 또는 ABX4 의 결정구조의 화학식량적 비율에 비하여 A가 2% 내지 20% 과량으로 함유된 것을 특징으로 하고,상기 ABX3는 AX : BX2가 1
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제1항에 있어서,상기 유기 암모늄은 (CH3NH3)n, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3) 또는 (CF3NH3)n을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광층
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제1항에 있어서,상기 금속 물질은 2가 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광층
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제1항에 있어서,상기 할로젠 원소는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광층
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유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광층을 포함하고,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4 또는 ABX4 의 결정구조를 포함하고, 상기 A는 유기 암모늄이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로젠 원소이고, 상기 n은 2 내지 6사이의 정수이고,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 상기 ABX3, A2BX4 또는 ABX4 의 결정구조의 화학식량적 비율에 비하여 A가 2% 내지 20% 과량으로 함유된 것을 특징으로 하고,상기 ABX3는 AX : BX2가 1
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제5항에 있어서,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드는,양전극이 형성된 기판;상기 기판 상에 정공주입층;상기 정공주입 층상에 정공수송층;상기 정공수송 층상에 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광층;상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 층상에 전자수송층;상기 전자수송 층상에 전자주입층; 및상기 전자주입 층상에 음전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광다이오드
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제5항에 있어서,상기 유기 암모늄은 (CH3NH3)n, (RNH3)2, (CnH2n+1NH3)2, (CF3NH3) 또는 (CF3NH3)n을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드
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제5항에 있어서,상기 금속 물질은 2가 전이 금속, 희토류 금속, 알칼리 토류 금속, Pb, Sn, Ge, Ga, In, Al, Sb, Bi, Po 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드
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9
제5항에 있어서,상기 할로젠 원소는 Cl, Br, I 또는 이들의 조합으로 이루어지는 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드
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10
제5항에 있어서,상기 발광층의 발광 파장은 200nm 내지 1300nm인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드
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제5항에 있어서, 상기 발광층을 구성하는 결정의 크기는 10nm 내지 990nm인 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드
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제5항에 있어서,상기 발광층의 밴드갭 에너지는 0
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상부에 양전극이 형성된 기판을 준비하는 단계;상기 양전극 상에 정공주입층을 형성하는 단계;상기 정공주입층 상에 유무기 하이브리드 페로브스카이트 용액을 도포하고 스핀코팅하여 발광층을 형성하는 단계;상기 발광 층상에 전자수송층을 형성하는 단계;상기 전자수송 층상에 전자주입층을 형성하는 단계; 및상기 전자주입 층상에 음전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트는 ABX3, A2BX4 또는 ABX4의 결정구조를 포함하고, 상기 A는 유기 암모늄이고, 상기 B는 금속 물질이고, 상기 X는 할로젠 원소이고, 상기 n은 2 내지 6사이의 정수이고,상기 유무기 하이브리드 페로브스카이트 용액을 형성할 때, 상기 ABX3, A2BX4 또는 ABX4의 결정구조의 화학식량적 비율에 비하여 A가 2% 내지 20% 과량으로 함유됨으로써, 상기 페로브스카이트의 결정구조를 변화시키지 않으면서 금속원자가 결정구조에 잔류되는 것을 방지하는 것을 특징으로 하고,상기 ABX3는 AX : BX2가 1
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제13항에 있어서,상기 발광층은 나노결정 고정화 공정을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 제조방법
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제16항에 있어서, 상기 나노결정 고정화 공정은 상기 유무기 페로브스카이트 용액을 기판 위에 도포하여 스핀 코팅하는 과정을 포함하고,상기 스핀 코팅 과정 중에 유기용매를 스핀 코팅 중에 기판 위에 떨어뜨리는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 제조방법
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18
제17항에 있어서,상기 유기용매는 상기 페로브스카이트 구조를 용해시키지 않는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 제조방법
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제17항에 있어서,상기 유기용매는 유전 상수가 20미만인 용매를 포함하는 것을 특징으로 하는 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 제조방법
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제17항에 있어서,상기 유기용매는 펜테인(pentane), 헥세인(hexane), 사이클로헥세인(cyclohexane), 벤젠(benzene), 톨루엔(toluene), 클로로포름(chloroform), 디에틸에테르(diethyl ether), 다이클로로메테인(dichloromethane), 테트라하이드로푸란(tetrahydrofuran) 및 에틸아세테이트(ethyl acetate)으로 이루어진 군으로부터 선택되는 어느 하나의 것인 유무기 하이브리드 페로브스카이트 발광 다이오드 제조방법
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