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질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법(Nitride semiconductor light emitting device, and fabrication method of the same)

  • 기술번호 : KST2016019067
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 반도체 발광소자의 정전기(Electrostatic Discharge: ESD) 내압특성을 개선할 수 있는 질화물계 반도체 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로, 본 발명의 발광소자는, 기판(110); 상기 기판(110) 상부에 형성된 제1도전성 반도체층(120); 상기 제1도전성 반도체층(120) 상부에 형성되는 고저항 반도체층(130); 상기 고저항 반도체층(130) 상부에 형성된 활성층(150); 및, 상기 활성층(150) 상부에 형성되는 제2도전성 반도체층(160);을 포함하며, 상기 고저항 반도체층(130) 및 상기 제1도전성 반도체층(120)의 인접 면과, 상기 활성층(150) 및 상기 제2도전성 반도체층(160)의 인접 면에는 각각 V피트(v-pit)(v1)(v2) 구조를 가지며, 상기 고저항 반도체층(130)과 상기 활성층(150)의 인접 면은 V피트 구조를 포함하지 않고 평탄한 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 33/22 (2010.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020150061242 (2015.04.30)
출원인 한국광기술원
등록번호/일자 10-1678524-0000 (2016.11.16)
공개번호/일자 10-2016-0129315 (2016.11.09) 문서열기
공고번호/일자 (20161122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.30)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이승재 대한민국 광주광역시 광산구
2 최성철 대한민국 광주광역시 서구
3 백종협 대한민국 대전광역시 서구
4 전성란 대한민국 광주광역시 광산구
5 김상묵 대한민국 광주광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이은철 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)
2 이우영 대한민국 서울특별시 송파구 법원로**길 **, A동 *층 ***호 (문정동, H비지니스파크)(*T국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국광기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0422276-81
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0051659-43
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.03.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-0266271-72
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.04.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0381327-50
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.04.20 수리 (Accepted) 1-1-2016-0381323-78
6 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0622443-26
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.09.28 수리 (Accepted) 1-1-2016-0940768-83
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.09.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-0940769-28
9 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.11.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0795351-36
10 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.08.23 수리 (Accepted) 1-1-2018-5015260-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148105-81
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.09 수리 (Accepted) 4-1-2020-5153634-39
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상부에 형성된 제1도전성 반도체층;상기 제1도전성 반도체층 상부에 형성되는 고저항 반도체층;상기 고저항 반도체층 상부에 형성된 활성층; 및,상기 활성층 상부에 형성되는 제2도전성 반도체층;을 포함하며,상기 고저항 반도체층 및 상기 제1도전성 반도체층의 인접 면과, 상기 활성층 및 상기 제2도전성 반도체층의 인접 면에는 종방향으로 동일 위치 상에 각각 V피트(v-pit) 구조를 가지며, 상기 고저항 반도체층과 상기 활성층의 인접 면은 V피트 구조를 포함하지 않고 평탄한 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
2 2
제1항에 있어서, 상기 고저항 반도체층과 상기 활성층의 인접 면은 평면 또는 완만한 곡면 구조인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 고저항 반도체층의 실리콘 불순물 농도는 1018/㎤ 이하인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
5 5
제1항에 있어서, 상기 고저항 반도체층의 마그네슘 불순물 농도는 1016/㎤ 이상인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
6 6
제1항에 있어서, 상기 고저항 반도체층의 두께는 10㎚ ~ 1000㎚ 인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자
7 7
제1항, 제2항, 제4항, 및 제5항 중 어느 한 항의 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법에 있어서, 기판 상부에 제1도전성 반도체층을 성장시키되, 상부 표면에 제1의 V피트 구조를 형성하는 제1단계;상기 제1도전성 반도체층 상부에 전도성이 낮은 물질로 상기 제1의 V피트 구조가 평탄화되도록 고저항 반도체층을 형성하는 제2단계;평탄화된 고저항 반도체층 상부에 활성층을 형성하되, 상부 표면에 상기 제1의 V피트 구조와 종방향으로 동일 위치 상에 제2의 V피트 구조를 형성하는 제3단계; 및,상기 활성층 상부의 상기 제2의 V피트 구조가 평탄화되도록 제2도전성 반도체층을 형성하는 제4단계;를 포함하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
8 8
제7항에 있어서, 제3단계에서 평탄화된 고저항 반도체층 상부에 제1도전성 반도체층을 형성한 후에 상기 활성층과 상기 제2도전성 반도체층을 형성하는 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 고저항 반도체층의 두께는 10㎚ ~ 1000㎚ 인 것을 특징으로 하는 질화물계 반도체 발광소자의 제조방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107873109 CN 중국 FAMILY
2 JP30510514 JP 일본 FAMILY
3 US10662511 US 미국 FAMILY
4 US20180069153 US 미국 FAMILY
5 WO2016163595 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN107873109 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 JP2018510514 JP 일본 DOCDBFAMILY
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한국광기술원 전자정보디바이스 산업원천기술개발사업(LED/광) 전력변환효율 75%급 LED 광소자 공정 및 표준 분석 기술개발