1 |
1
층상계(layered) 화합물의 입자인 리튬 전이금속 복합 산화물; 및 상기 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면에 위치하는 코팅층;을 포함하고, 상기 코팅층은, 알루미늄 산화물, 바륨 산화물, 및 알루미늄 바륨 산화물을 포함하며, 상기 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면 전면에서 3 내지 4 ㎚의 균일한 두께로 형성된 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질
|
2 |
2
제1항에 있어서,상기 코팅층 100중량%에 대한, 상기 알루미늄 산화물 및 상기 바륨 산화물의 총 함량은 0
|
3 |
3
층상계(layered) 화합물의 입자인 리튬 전이금속 복합 산화물 입자를 준비하는 단계; 및상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 표면에 금속 산화물을 코팅하여, 코팅층을 형성하는 단계;를 포함하되,상기 코팅층을 형성하는 단계;는, 전자빔(electron-beam) 증착 방법에 의해 수행되고, 기판을 준비하는 단계; 상기 기판 상에 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자를 분포시키는 단계; 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자가 분포된 기판의 상부에, Al2O3 및 BaO 가 혼합된 타겟을 위치시키는 단계; 및 상기 타겟의 표면에 전자빔을 집적하여, 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 표면에 상기 코팅층을 성장시키는 단계;를 포함하며,상기 전자빔의 집적에 의해 상기 타겟(target)의 표면이 융해되고, 상기 기판 상에 분포된 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면에 상기 융해된 타겟 물질이 떨어져, 상기 리튬 전이금속 복합 산화물의 표면 전면에서 3 내지 4 ㎚의 균일한 두께로 상기 코팅층이 형성되고,상기 코팅층은 알루미늄 산화물, 바륨 산화물, 및 알루미늄 바륨 산화물을 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
4 |
4
삭제
|
5 |
5
제3항에 있어서,상기 타겟의 표면에 전자빔을 집적하여, 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 표면에 상기 코팅층을 성장시키는 단계;에서,상기 성장된 코팅층의 총 중량에 대한 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 중량비는,1: 100,000 내지 1: 100인 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
6 |
6
제3항에 있어서,상기 타겟의 표면에 전자빔을 집적하여, 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 표면에 상기 코팅층을 성장시키는 단계;에서,상기 성장된 코팅층의 두께는,상기 타겟의 개수에 비례하여 증가하는 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
7 |
7
제3항에 있어서,상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 표면에 금속 산화물을 코팅하여, 코팅층을 형성하는 단계;는,10-4 torr 이하의 압력 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
8 |
8
제3항에 있어서,상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 표면에 금속 산화물을 코팅하여, 코팅층을 형성하는 단계;는,50 내지 600 ℃의 온도 범위에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
9 |
9
제3항에 있어서,상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자의 표면에 금속 산화물을 코팅하여, 코팅층을 형성하는 단계;는,산소 분위기에서 수행되는 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
10 |
10
제3항에 있어서,상기 금속 산화물은,알루미늄(Al) 산화물, 바륨(Ba) 산화물, 지르코늄(Zr) 산화물, 및 이들의 조합을 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나 이상을 포함하는 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
11 |
11
삭제
|
12 |
12
제3항에 있어서, 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자는,LiCoO2, LiNiO2, LiMn2O4, Li[NiX(Co0
|
13 |
13
제3항에 있어서, 상기 리튬 전이금속 복합 산화물 입자는,Ni, Mn, 및 Co를 포함하는 군에서 선택된 적어도 하나의 금속 중 전체 또는 일부 원소의 농도 구배가 존재하는 것인,리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
|
14 |
14
양극;음극; 및전해질;을 포함하며,상기 양극은, 제1항 또는 제2항에 따른 리튬 이차 전지용 양극 활물질을 포함하는,리튬 이차 전지
|