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진공의 공간을 형성하며 소재에 대한 증착이 이루어지는 챔버, 상기 챔버 내부에 설치되어 소재의 표면에 스퍼터링 이온 입자를 증착하기 위한 마그네트론 스퍼터링부, 및상기 챔버 내부에 설치되어 스퍼터링 이온 입자가 증착되는 상기 소재 표면을 향해 보조 에너지를 가하는 플라즈마 발생기를 포함하는 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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제 1 항에 있어서,상기 챔버 내부에 배치되어 소재가 연속적으로 풀려나오는 언코일러, 상기 언코일러로부터 풀려나온 소재가 감기는 리코일러를 더 포함하고,상기 마그네트론 스퍼터링부 및 상기 플라즈마 발생기는 언코일러와 리코일러 사이에 배치되어 소재를 연속적으로 증착하는 구조의 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 선형 이온빔 또는 선형 플라즈마를 조사하는 구조의 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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제 3 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 불활성가스 이온 또는 반응성 가스 이온 또는 반응성 가스 활성종을 발생시키는 구조의 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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제 4 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 0
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제 5 항에 있어서,상기 플라즈마 발생기는 상기 마그네트론 스퍼터링부에 이웃하여 배치되거나 또는 두 마그네트론 스퍼터링부 사이에 배치된 구조의 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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제 6 항에 있어서,상기 마그네트론 스퍼터링부와 플라즈마 발생기가 쌍을 이루어 하나의 증착부를 구성하고, 상기 소재를 따라 복수개의 증착부가 간격을 두고 배치된 구조의 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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8
제 7 항에 있어서,상기 마그네트론 스퍼터링부는 DC, LF, MF 또는 RF 주파수로 운전되는 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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제 7 항에 있어서,상기 마그네트론 스퍼터링부는 사인파, 펄스파 또는 사각파 전압으로 운전되는 마그네트론 스퍼트링 증착 장치
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10
소재가 구비된 챔버 내부를 진공으로 형성하는 단계,플라즈마를 생성하여 소재 표면에 박막 물질 입자를 마그네트론 스퍼터링 증착하는 단계, 및마그네트론 스퍼터링 증착시 박막 물질 입자가 증착되는 소재 표면으로 보조 에너지를 가하는 단계를 포함하는 마그네트론 스퍼터링 증착 방법
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제 10 항에 있어서,상기 챔버 내부에서 소재를 연속적으로 이동시키는 단계와, 상기 이동하는 소재 표면에 마그네트론 스퍼터링 증착과 보조 에너지를 연속적으로 가하는 단계를 더 포함하는 마그네트론 스퍼터링 증착 방법
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제 11 항에 있어서,상기 스퍼터링 증착 단계와 보조 에너지를 가하는 단계는 소재를 따라 적어도 한 곳 이상에서 이루어지는 마그네트론 스퍼터링 증착 방법
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제 10 항 내지 제 12항 중 어느 한 항에 있어서,상기 보조 에너지를 가하는 단계는, 선형의 플라즈마 또는 선형의 이온 빔을 가하는 구조의 마그네트론 스퍼터링 증착 방법
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제 13 항에 있어서,상기 보조 에너지를 가하는 단계에서, 보조 에너지는 0
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