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기판;가스와 접촉하면 전기전도도가 변화되도록 상기 기판의 일면에 반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물이 증착되어 형성되는 가스감지 필름; 및상기 가스감지 필름에 전류를 인입 또는 인출시키도록 상기 가스감지 필름의일면에 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물이 증착되어 형성되는 전극;을 포함하는 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 가스감지 필름과 상기 전극이 중첩되는 부분에는 상기 반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물과 상기 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물의 합금;이 형성되는, 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물은 MoS2, MoSe2, WS2 및 WSe2 중 어느 하나가 선택되는, 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물은 NbS2 및 NbSe2 중 어느 하나가 선택되는, 가스센서
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제2항에 있어서, 상기 합금은 NbxWySez인, 가스센서
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 가스감지 필름의 두께는 1nm 내지 5nm로 형성되는, 가스센서
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제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극의 두께는 3nm 내지 10nm로 형성되는, 가스센서
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제1항에 있어서, 상기 가스감지 필름은 다각형의 패턴으로 형성되고, 상기 전극은 상기 패턴이 형성된 상기 가스감지 필름의 일면에 상호 맞물리는 한 쌍의 패턴이 형성되는, 가스센서
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기판을 준비하는 단계;상기 기판의 일면에 반도체성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물을 증착하여 가스감지 필름을 형성하는 단계; 및상기 가스감지 필름의 일면에 금속성 2차원 전이금속 디칼코지나이드계 화합물을 증착하여 전극을 형성하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
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제9항에 있어서, 상기 가스감지 필름을 형성하는 단계는,다각형의 가스감지 필름 패턴이 형성된 메탈 쉐도우 마스크를 준비하는 단계; 상기 메탈 쉐도우 마스크를 이용하여 상기 가스감지 필름 패턴이 전사되도록 스퍼터링, 열기상증착법 및 전자빔 기상증착법 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판의 일면에 MoO3 또는 WO3를 증착하는 단계; 및 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 MoO3 또는 WO3이 증착된 상기 기판의 일면에 증착하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
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제10항에 있어서,상기 전극을 형성하는 단계는 맞물리는 한쌍의 전극패턴이 형성된 메탈 쉐도우 마스크를 준비하는 단계; 상기 메탈 쉐도우 마스크를 이용하여 상기 전극 패턴이 전사되도록 스퍼터링, 열기상증착법 및 전자빔 기상증착법 중 어느 하나를 선택하여 상기 기판의 일면에 Nb2O5를 증착하는 단계; 및 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 Nb2O5이 증착된 상기 기판에 증착하는 단계;를 포함하는 가스센서 제조방법
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제11항에 있어서, 칼코지나이드 고체 소스를 기화하여 상기 기판에 증착하는 단계는,상기 가스감지 필름 패턴 또는 상기 전극 패턴이 형성된 기판을 CVD 장치 챔버 내부에 배치하는 단계; 상기 챔버 내부에 아르곤(Ar) 및 수소(H2) 가스를 공급하는 단계;상기 챔버 내부에 황(Sulfur) 또는 셀레늄(Selenium) 고체 소스를 공급하는 단계; 상기 챔버 내부는 일정한 압력을 유지하고, 1시간 내지 2시간 내에 일정한 온도범위로 상승시키는 단계;상기 챔버 내부는 일정한 압력 및 일정한 온도범위에서 50분 내지 70분 동안 유지하는 단계; 상기 CVD 장치의 소스히터는 1시간 내지 2시간 내에 일정한 온도범위로 상승시키는 단계; 및상기 아르곤(Ar) 및 수소(H2) 가스의 공급을 차단하고 온도를 하강시키는 단계;를 포함하는, 가스센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 챔버 내부의 일정한 압력은 600 내지 800 torr 범위 내에서 설정되는, 가스센서 제조방법
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제12항에 있어서, 상기 챔버의 일정한 온도는 900℃ 내지 1100℃ 범위에서 설정되는, 가스센서 제조방법
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제12항에 있어서,상기 소스히터의 일정한 온도는 200℃ 내지 500℃ 범위에서 설정되는, 가스센서 제조방법
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