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애노드와 캐소드상기 애노드와 캐소드 사이에 배치되고, 호스트와 도펀트를 함유하는 발광층을 포함하되,상기 호스트는 열활성화 지연형광(TADF, Thermally Activated Delayed Fluorescence)을 나타내는 물질이고,상기 호스트의 T1 준위(T1H), 상기 호스트의 S1 준위(S1H), 및 상기 도펀트의 T1 준위(T1D)는 하기 수학식들 1 및 2를 만족하는 유기발광다이오드:003c#수학식 1003e#T1H ≤ T1D003c#수학식 2003e#S1H 003e# T1D
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청구항 1에 있어서,상기 호스트는 하기 화학식 1로 표시되는 물질인 유기발광다이오드:[화학식 1]상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 각각 독립적으로 C5 내지 C30의 아릴기, 또는 C5 내지 C30의 알킬아릴기이고, R1과 R2는 서로 융합하지 않거나, 또는 융합하여 이들이 부착된 질소와 함께 포화 또는 불포화 고리를 형성하고,n은 2 또는 3의 정수이고,R3 내지 R12은 각각 독립적으로 수소, 중수소, C1 내지 C30의 알킬기, 또는 NR13R14이고, R13 및 R14는 각각 독립적으로 C5 내지 C30의 아릴기, 또는 C5 내지 C30의 알킬아릴기이고, R13과 R14는 서로 융합하지 않거나, 또는 융합하여 이들이 부착된 질소와 함께 포화 또는 불포화 고리를 형성한다
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청구항 1에 있어서,상기 NR1R2와 상기 NR13R14는 서로에 관계없이 하기의 작용기들인 유기발광다이오드: 상기 작용기 1, 작용기 2, 또는 작용기 3에서, A1과 A2는 서로에 관계없이, 수소, 중수소, 또는 C1 내지 C4의 알킬기이다
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청구항 2에 있어서,상기 화학식 1로 나타낸 물질은 하기 화학식 2로 나타낸 물질인 유기발광다이오드:[화학식 2]상기 화학식 2에서, R1a, R2a, R1b, 및 R2b는 각각 독립적으로 C5 내지 C30의 아릴기, 또는 C5 내지 C30의 알킬아릴기이고; R1a과 R2a는 서로 융합하지 않거나, 또는 융합하여 이들이 부착된 질소와 함께 포화 또는 불포화 고리를 형성하고; R1b과 R2b는 서로 융합하지 않거나, 또는 융합하여 이들이 부착된 질소와 함께 포화 또는 불포화 고리를 형성하고,R3 내지 R12은 화학식 1에 정의된 바와 동일하다
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청구항 4에 있어서,상기 화학식 2로 나타낸 물질은 하기 화합물 4 또는 하기 화합물 5인 유기발광다이오드:
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청구항 2에 있어서,상기 화학식 1로 나타낸 물질은 하기 화학식 3로 나타낸 물질인 유기발광다이오드:[화학식 3]상기 화학식 3에서, R1a, R2a, R1b, R2b, R1c, 및 R2c는 각각 독립적으로 C5 내지 C30의 아릴기, 또는 C5 내지 C30의 알킬아릴기이고; R1a과 R2a는 서로 융합하지 않거나, 또는 융합하여 이들이 부착된 질소와 함께 포화 또는 불포화 고리를 형성하고; R1b과 R2b는 서로 융합하지 않거나, 또는 융합하여 이들이 부착된 질소와 함께 포화 또는 불포화 고리를 형성하고; R1c과 R2c는 서로 융합하지 않거나, 또는 융합하여 이들이 부착된 질소와 함께 포화 또는 불포화 고리를 형성하고,R3 내지 R12은 화학식 1에 정의된 바와 동일하다
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청구항 6에 있어서,상기 화학식 3으로 나타낸 물질은 하기 화합물 1, 2, 3, 6, 또는 7인 유기발광다이오드:
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삭제
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청구항 1에서, 상기 도펀트는 인광도펀트인 유기발광다이오드
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