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다이아몬드의 일부 표면에 금속층을 증착하는 단계;상기 금속층을 금속 응집체(metal agglomerate)로 변환하여 상기 다이아몬드를 식각하는 단계; 및상기 금속 응집체를 상기 다이아몬드로부터 제거하여 그 표면에 나노 크기의 구멍들이 다수 형성된 다이아몬드를 제조하는 단계;를 포함하고,상기 금속층은 니켈(Ni), 코발트(Co), 철(Fe), 망간(Mn) 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 2 이상의 금속으로 이루어지고, 상기 금속층은, 상기 다이아몬드를 구성하는 탄소의 상기 금속층에 대한 고용해도(solid solubility)가 서로 상이한 복수의 금속 박막들로 이루어진 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 다이아몬드를 식각하는 단계에서, 상기 금속층을 열처리하여 금속 응집체로 변환하는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제3 항에 있어서,상기 금속층을 열처리하는 것은, 상기 금속층이 증착된 다이아몬드를 10초 내지 2시간 동안 400 ℃ 내지 1500 ℃의 온도로 가열하여 수행되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제4 항에 있어서,상기 금속층을 금속 응집체로 변환하는 단계는 진공 분위기 또는 환원성 가스 분위기에서 수행되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 다이아몬드를 식각하는 단계에서, 상기 금속 응집체는 상기 금속층에 상기 다이아몬드를 구성하는 탄소가 고용되어 형성된 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 응집체는 1 내지 100 ㎛의 크기를 갖는 괴상인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제1 항에 있어서,그 표면에 나노 크기의 구멍들이 다수 형성된 다이아몬드를 제조하는 단계에서, 상기 금속 응집체를 상기 다이아몬드로부터 제거하는 것은 상기 다이아몬드를 산성 용액에 세척하는 것에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제8 항에 있어서,상기 산성 용액은 질산, 염산, 황산, 왕수 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 다이아몬드는 천연 다이아몬드 또는 합성 다이아몬드인 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속층을 증착하는 단계는 물리적 기상 증착법(physical vapor deposition) 또는 화학적 기상 증착법(chemical vapor deposition)에 의해 수행되는 것을 특징으로 하는 다이아몬드 표면 처리 방법
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