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태양전지의 비반사막 제조방법(METHOD FOR ANTI-REFLECTION COATING OF SOLAR CELL)

  • 기술번호 : KST2016019202
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 태양전지의 비반사막 제조방법은 (a) 준비된 기판에 ZnS 및 Al을 증착하여 씨드 층(Seed layer)을 형성하는 단계; (b) 씨드 층 표면을 표면처리 하는 단계; (c) ZnS와 Al층이 증착된 씨드 층 표면에 산화아연으로 이루어진 나노시트를 형성하는 단계; 및 (d) 씨드 층 표면 상부에 형성된 산화아연 나노시트에 MgF2를 증착하는 단계;를 포함하여, 산화아연 Seed 층 없이 ZnO 나노시트를 성장할 수 있는 효과가 있고, 산화아연 나노시트에 MgF2를 증착하여 태양전지의 효율을 증가시킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01) H01L 31/02168(2013.01)
출원번호/일자 1020150064372 (2015.05.08)
출원인 울산과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1684947-0000 (2016.12.05)
공개번호/일자 10-2016-0131591 (2016.11.16) 문서열기
공고번호/일자 (20161209) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백정민 대한민국 울산광역시 울주군
2 이기석 대한민국 울산광역시 울주군
3 이혜진 대한민국 대구광역시 북구
4 최원준 대한민국 서울특별시 성북구
5 김상현 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0442221-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0079028-71
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0145996-41
7 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0386680-13
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.04.22 수리 (Accepted) 1-1-2016-0386696-43
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.05.17 수리 (Accepted) 1-1-2016-0470144-67
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.05.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0470152-22
11 등록결정서
Decision to grant		 2016.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0691414-19
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 준비된 기판에 ZnS을 증착한 뒤 Al을 증착하여 ZnS - Al 씨드 층(Seed layer:10)을 형성하는 단계;(b) 상기 씨드 층(10) 표면을 표면처리 하는 단계;(c) 상기 ZnS와 Al층이 증착된 상기 씨드 층(10) 표면에 산화아연으로 이루어진 나노시트(20)를 형성하는 단계; 및(d) 상기 씨드 층(10) 표면 상부에 형성된 상기 산화아연 나노시트(20)에 MgF2(30)를 증착하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 비반사막 제조방법
2 2
제 1항에 있어서,상기 ZnS가 sputter공법에 의해 50nm 두께로 증착되고, 상기 Al가 Electron Beam Evaporation공법에 의해 0
3 3
제 1항에 있어서, 상기 (b)단계에서, 상기 표면처리는 유기물이 제거된 상기 씨드 층(10) 시편을 UV/오존 크리너로 20분간 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 비반사막 제조방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 (c)단계에서 표면 처리된 상기 씨드 층(10) 시편을 오토클레이브에 투입하고 산화아연 형성용 수용액을 사용하여 수열합성법으로 상기 나노시트(20)를 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 비반사막 제조방법
5 5
제 4항에 있어서, 상기 산화아연 형성용 수용액은 아연염과 헥사메틸렌테트라아민으로 구성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 비반사막 제조방법
6 6
제 5항에 있어서, 상기 아연염과 헥사메틸렌테트라아민의 몰 비율은 1:1이고, 수용액의 몰 농도는 20mM인 것을 특징으로 하는 태양전지의 비반사막 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 MgF2(30)는 수열합성법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 비반사막 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.