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투과도가 향상된 투명 전극 형성 방법 및 이를 이용하여 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 소자(Forming method for transparent conduction electrode and semiconductor device having transparent conduction electrode formed by the same)

  • 기술번호 : KST2016019235
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전극 형성 방법을 공개한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 투명 전극 형성 방법은, 투명전극으로 가장 널리 사용되는 ITO 투명 전극 위에 Indium보다 주기율표상의 주기가 낮은 금속을 이용하여 금속층을 형성하고 열처리를 통해서 금속층을 구성하는 금속들을 ITO 투명 전극 내부로 침투시켜 유효 밴드갭을 확장시킴으로써, 투명 전극의 투과도를 자외선 영역으로 확장시킴과 동시에, ITO 투명 전극 내부에 침투한 금속이 전체 투명 전극의 전도도를 향상시키는 효과가 있다. 이러한 본 발명의 투명 전극 형성 방법은 종래의 투명 전극 형성 공정에, 복잡한 패터닝이나 에칭 공정을 추가함 없이, 단순한 금속층을 형성하는 공정과 열처리 공정을 추가하는 것 만으로도 투명 전극의 투과도 및 전도도를 향상시킬 수 있어, 현재 상용화된 투명 전극 형성 공정에 바로 적용이 가능한 장점이 있다.
Int. CL H01B 1/02 (2006.01) H01B 13/00 (2006.01) H01B 1/08 (2006.01)
CPC H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01) H01B 13/0026(2013.01)
출원번호/일자 1020150063409 (2015.05.06)
출원인 고려대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0131339 (2016.11.16) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 고려대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김태근 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 김민주 대한민국 경기도 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인주원 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(논현동, 건설회관)

최종권리자

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.05.06 수리 (Accepted) 1-1-2015-0436455-29
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.08.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0597924-09
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1031937-50
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.10.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1031938-06
5 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.02.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0147299-17
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5210941-09
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번호 청구항
1 1
(a) 기판위에 인듐 산화물 및 주석 산화물을 증착하여 ITO(Indium-Tin-Oxide) 투명 전극을 형성하는 단계;(b) 상기 ITO 투명 전극 위에, 주기율표상에서 인듐보다 낮은 주기에 속하는 금속을 증착하여 금속층을 형성하는 단계; 및 (d) 상기 금속층이 형성된 기판을 열처리하여, 상기 금속을 ITO 투명 전극 내부로 침투시켜 투명 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는 상기 ITO 투명 전극 위에, 복수의 dot 형태의 금속 결정들로 구성되는 금속층을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서,상기 ITO 투명 전극 위에 증착되는 금속은 Al, Ti, Ga, 및 Ge 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계에서, 상기 금속층은 1nm 내지 5nm의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 (d) 단계는질소 또는 대기 분위기에서 450도 내지 750도에서 열처리가 수행되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 (b) 단계는, ITO층 표면에 요철 패턴으로 상기 금속층을 형성하고, 상기 (d) 단계가 수행되면, 요철 패턴으로 형성된 금속층의 금속이 상기 ITO 투명 전극으로 침투하여 투명 전극 표면에 요철 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 기판 표면에서, 상기 기판 표면에 접촉하는 ITO 투명 전극의 표면의 반대 표면으로 갈수록 상기 금속의 조성비가 증가하여, 공기와의 굴절율 차이가 감소하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 형성 방법
8 8
제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 투명 전극 형성 방법에 의해서 형성된 투명 전극을 포함하는 반도체 소자
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1 WO2016178478 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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1 WO2016178478 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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