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유전층;상기 유전층 상부면 중앙 상측에 수평으로 배치되는 도전성 제1 바와, 상기 유전층 상부면 중앙 하측에 수평으로 상기 제1 바와 평행하게 배치되는 도전성 제2 바와, 상기 유전층 상부면에 상기 제1 바와 상기 제2 바 사이에 배치되되 상기 제1 바 및 상기 제2 바에 수직되며 수평방향으로 이동 가능한 도전성 제3 바를 구비하는 패턴층; 및상기 유전층의 하부면에 구비된 도전층을 포함하며,상기 제1 바와 상기 제2 바는 동일 크기를 가지며, 상기 제3 바의 상부 종단과 하부 종단은 각각 상기 제1 바 및 상기 제2 바와 이격되며, 상기 유전층과 상기 패턴층은 동일 두께를 가지며,상기 제3 바를 수평방향으로 이동시켜 다중 주파수 대역의 전자기파를 흡수 제거하는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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청구항 1에 있어서,상기 제3 바의 상부 종단과 상기 제1 바는 20nm 이격되고,상기 제3 바의 하부 종단과 상기 제2 바는 20nm 이격되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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청구항 1에 있어서,상기 유전층과 상기 도전층은가로 길이가 각각 800nm이고, 세로 길이가 각각 800nm인 정사각형인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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청구항 1에 있어서, 상기 제1 바, 상기 제2 바, 상기 제3 바 및 상기 유전층의 두께는 30nm인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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청구항 1에 있어서,상기 제1 바, 상기 제2 바, 및 상기 제3 바의 세로 길이는각각 80nm인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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청구항 1에 있어서,상기 제1 바, 상기 제2 바, 및 상기 제3 바의 가로 길이는각각 190nm인 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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청구항 1에 있어서,상기 제3 바는상기 유전층의 중앙에서 수평방향으로 0nm 내지 50nm에 배치되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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청구항 1에 있어서, 상기 패턴층 및 상기 도전층은 은(Ag)으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자기파 흡수체의 단위셀
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