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기판을 준비하는 단계;상기 기판의 상부에, 상호 이격된 복수의 도전성 나노 패턴들을 형성하는 단계;상기 기판 상에, 상기 도전성 나노 패턴들을 덮도록 구비된 산화막을 형성하는 단계; 및상기 산화막 상에, 상부에 요철이 형성된 반사 방지 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 광 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들을 형성하는 단계는, 상기 기판으로부터 제1 거리로 이격된 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 기판으로부터 상기 제1 거리보다 큰 제2 거리로 이격된 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 구조물의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전성 나노 패턴들 및 상기 산화막을 형성하는 단계는 증착 공정 및 리프트 공정을 순차적으로 수행하는 것을 특징으로 하는 광 구조물의 제조 방법
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제3항에 있어서, 상기 도전성 나노 패턴들 및 상기 산화막을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 산화물 박막을 형성하는 단계;상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 산화물 박막 상에 제1 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 형성 영역에 해당하는 상기 제1 산화물 박막 및 상기 제1 폴리머 패턴 상에 제1 예비 도전성 나노 박막을 형성하는 단계;상기 제1 폴리머 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제1 형성 영역에 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 형성 영역을 제외한 상기 제1 산화물 박막 상에 제2 산화물 박막을 형성하는 단계;상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하기 위한 제2 형성 영역을 제외한 상기 제2 산화물 박막 상에 제2 폴리머 패턴을 형성하는 단계;상기 제2 형성 영역에 해당하는 상기 제2 산화물 박막 및 상기 제2 폴리머 패턴 상에 제2 예비 도전성 나노 박막을 형성하는 단계; 및상기 제2 폴리머 패턴을 리프트 오프시켜 상기 제2 형성 영역에 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 구조물의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전성 나노 패턴들은 복수의 전사 공정들을 통하여 형성되는 것을 특징으로 하는 광 구조물의 제조 방법
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제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2 도전성 나노 패턴들을 형성하는 단계는,상기 기판 상에 제1 산화물 박막을 형성하는 단계;상기 제1 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제1 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제1 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제1 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제1 산화물 박막에 전사하여 상기 제1 산화물 박막 상에 상기 제1 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 도전성 나노 패턴을 제외한 상기 제1 산화물 박막 상에 제2 산화물 박막을 형성하는 단계;상기 제2 도전성 나노 패턴의 형성 영역인 제2 형성 영역에 형성된 돌출부를 갖는 제2 스탬프를 이용하여 상기 돌출부에 도전성 나노 입자를 포함하는 제2 예비 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계; 및상기 제2 예비 도전성 나노 패턴을 상기 제2 산화물 박막에 전사하여 상기 제2 산화물 박막 상에 상기 제2 도전성 나노 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 광 구조물의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 반사 방지 패턴을 형성하는 단계는,상기 산화막 상에 반사 방지막을 형성하는 단계; 및상기 반사 방지막을 패터닝된 몰드를 이용하여 패터닝하여 상기 반사 방지막 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 광 구조물의 제조 방법
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