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질화처리된 하기 화학식 1로 표현되는 물질을 포함하여 이루어지는 고체 전해질
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제 1 항에 있어서, 상기 질화처리는 상기 고체 전해질을 반응로 내에 위치시키고, 상기 반응로 내의 온도를 승온한 후에 질소함유 가스를 주입하고 열처리한 상기 고체 전해질을 상온으로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질
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제 2 항에 있어서,상기 질소함유 가스는 메틸아민(methylamine), 에틸아민(ethylamine), 디에틸아민(diethylamine), 트리에틸아민(trimethylamine), 아닐린(aniline), 니코틴(nicotine), 및 사이클로 헥실 아민(cyclohexylamine)로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 한 질화처리된 고체 전해질
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제 2 항에 있어서, 상기 질소함유 가스는 질소함유 가스와 불활성 가스를 50~90부피%로 혼합하여 주입하는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질
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제 2 항에 있어서, 상기 질화처리는 상기 반응로 내에 질소함유 가스를 50~300ml/min 속도로 주입하고 30분 내지 5시간 동안 550~800℃ 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질
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반응로 내에 고체 전해질을 위치시키고 상기 반응로 내의 온도를 승온시키는 승온단계;상기 승온단계 후 상기 반응로 내에 질소함유 가스를 주입하고 열처리하는 질화처리단계; 및상기 질화처리단계 후 불활성 가스를 주입하여 상온까지 온도를 하강시키는 냉각단계;를 포함하고,상기 고체 전해질은 하기 화학식 1의 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 승온단계 전으로, 상기 반응로 내의 불순물을 제거하는 전처리 단계;를 더 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질의 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 승온단계는 반응로 내의 온도를 분당 5~30℃로 350~450℃까지 승온시킨 후, 30~60분 동안 350~450℃로 가열하고, 상기 가열 후 분당 2~5℃로 550~800℃까지 다시 승온시키는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 질소함유 가스는 메틸아민(methylamine), 에틸아민(ethylamine), 디에틸아민(diethylamine), 트리에틸아민(triethylamine), 아닐린(aniline), 니코틴(nicotine), 및 사이클로 헥실 아민(cyclohexylamine)으로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질 제조방법
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제 6 항에 있어서,상기 질화처리단계는 상기 질소함유 가스와 불활성 가스를 50~90부피%로 혼합하여 주입하는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질 제조방법
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11
제 6 항에 있어서,상기 질화처리단계는 상기 승온단계 후 상기 반응로 내에 질소함유 가스를 50~300ml/min 속도로 주입하고 30분 내지 5시간 동안 550~800℃ 온도에서 열처리하는 것을 특징으로 하는 질화처리된 고체 전해질 제조방법
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리튬 음극;상기 리튬 음극과 대향하여 위치된 공기극;상기 리튬 음극으로부터 발생된 리튬이온을 이동시키는 유기계 전해질;상기 공기극으로부터 발생된 수산화 이온을 이동시키는 수계 전해질; 및상기 유기계 전해질과 수계 전해질 사이에 위치되고 질화처리된 고체 전해질;을 포함하고,상기 질화처리된 고체 전해질은 하기 화학식 1로 표현되는 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 하이브리드 리튬 전지
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제 13 항에 있어서,상기 질화처리된 고체 전해질은 반응로 내에 고체 전해질을 위치시키고, 상기 반응로 내의 온도를 승온시키고 가열한 후 재차 승온하고, 상기 반응로 내에 질소함유 가스를 주입한 후 열처리하고, 상기 반응로 내에 불활성 가스를 주입하여 상온으로 온도를 하강시켜 제조된 것을 특징으로 하는 하이브리드 리튬 전지
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