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금속 촉매층 상에 형성된 그래핀을 성장시키고, 상기 성장된 그래핀에 유전체(dielectric material)로 구성되는 지지층을 형성하는 단계;상기 지지층이 형성된 그래핀에 도펀트를 이온주입하는 단계; 상기 이온주입된 그래핀을 기판으로 전사하는 단계; 및상기 전사된 그래핀에 대한 열처리 공정을 수행하는 단계를 포함하되,상기 지지층이 형성된 그래핀은폴리메틸메타크릴레이트(Polymethylmethacrylate, PMMA)의 상기 유전체로 구성된 상기 지지층으로 형성되어 빔 에너지에 의한 그래핀 층의 손상을 최소화하고, 그래핀을 투과하는 도펀트 이온을 차단하는 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
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제1항에 있어서,상기 열처리 공정이 수행된 후의 그래핀에 포함된 도펀트 농도는 상기 열처리 공정의 수행 이전의 그래핀에 포함된 도펀트의 농도 대비 10배 내지 13배의 범위로 증가하는 것을 특징으로 하는 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
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제1항에 있어서, 도펀트를 이온주입하는 상기 단계는,붕소 이온을 도펀트로 하여 35keV 이온주입에너지로, 도즈량은 1x1010/cm2 내지 50x1010/cm2 범위로 이온주입하는 것을 특징으로 하는 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
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제1항에 있어서,상기 도펀트의 농도의 증가에 따라 상기 열처리 공정이 수행된 그래핀의 캐리어(carrier)에 대한 이동도(mobility)는 증가하는 것을 특징으로 하는 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
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제1항에 있어서, 열처리 공정을 수행하는 상기 단계는지지층을 제거하는 단계를 포함하는 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
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제1항에 있어서,상기 유전체는 폴리비닐 피롤리돈(Polyvinyl Pyrrolidone, PVP), 폴리비닐알코올(Polyvinyl Alcohol, PVA) 및 포토아크릴(Photoacryl)로 이루어진 군에서 선택된 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 이온주입을 통한 지지층 기반의 그래핀의 도핑 방법
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