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제1홀부를 포함하는 무기물 구조체; 및상기 제1홀부에 위치하는 유기물 소자층을 포함하고,상기 유기물 소자층은 폴리 아닐린 또는 그 유도체, 폴리피롤 또는 그 유도체, 폴리 티오펜 또는 그 유도체, 폴리페닐렌 비닐렌 유도체, 폴리파라페닐렌 유도체, 폴리아센 또는 그 유도체와 이들의 공중합체로 이루어는 군에서 선택되는 물질인 열전 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 열전 반도체 소자는 금속 구조체를 더 포함하며,상기 무기물 구조체는 상기 금속 구조체 상에 형성되는 열전 반도체 소자
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열전 반도체 소자에 있어서,상기 열전 반도체 소자는, 제1홀부를 포함하는 무기물 구조체; 및 상기 제1홀부에 위치하는 유기물 소자층을 포함하며,상기 열전 반도체 소자는 금속 구조체를 더 포함하고, 상기 무기물 구조체는 상기 금속 구조체 상에 형성되며,상기 금속 구조체는 복수개의 금속지지체를 포함하고,상기 복수개의 금속지지체의 배치에 따라 형성되는 다각형 형상의 제2홀부를 포함하는 열전 반도체 소자
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열전 반도체 소자에 있어서,상기 열전 반도체 소자는, 제1홀부를 포함하는 무기물 구조체; 및 상기 제1홀부에 위치하는 유기물 소자층을 포함하며,상기 열전 반도체 소자는 금속 구조체를 더 포함하고, 상기 무기물 구조체는 상기 금속 구조체 상에 형성되며,상기 금속 구조체는,제1금속 지지체; 상기 제1금속 지지체와 교차하여 배치되는 제2금속 지지체; 및 상기 제1금속 지지체와 상기 제2금속 지지체의 교차에 의해 형성되는 제2홀부를 포함하는 열전 반도체 소자
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제 4 항에 있어서,상기 무기물 구조체는,상기 제1금속 지지체를 둘러싸는 제1무기물 소자층; 및 상기 제2금속 지지체를 둘러싸고, 상기 제1무기물 소자층과 교차하여 배치되는 제2무기물 소자층을 포함하며,상기 제1무기물 소자층과 상기 제2무기물 소자층의 교차에 의해 상기 제1홀부가 형성되는 열전 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,상기 금속 구조체는,x방향으로 배치되는 제1금속 지지체; 상기 제1금속 지지체와 교차하여 배치되고, y방향으로 제2금속 지지체; 및 z 방향으로 배치되고, 상기 제1금속 지지체와 상기 제2금속 지지체와 교차하여 배치되는 제3금속 지지체를 포함하는 열전 반도체 소자
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제 3 항에 있어서,상기 금속 구조체 상에 상기 무기물 구조체를 형성하는 것은 전기화학 공정에 의해 형성하는 열전 반도체 소자
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제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항의 열전 반도체 소자를 포함하는 열전 반도체 모듈
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