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타겟 금속 이온을 원자로 환원함으로써 전극 표면에 농축시키는 침적 단계 및 금속을 다시 이온 형태로 산화시키는 박리 단계를 수행하고, 양극벗김전압전류법에 의해 타겟 금속의 수준(level)을 측정하는 수계 중금속 측정용 전기화학센서에 있어서,미세유체 모세관의 막힘 현상 및 산소에 의한 시그널 오류를 제거할 수 있는 크기의 2개 이상의 분리된 각 구획 내에, 미세가공 기술로 형성된 작업전극 및 상대전극을 구비하고, 상기 작업전극 및 상대전극을 구비한 구획들은 회전 디스크형으로 이동가능하고,상기 전기화학센서는 (a) 구획용 홀(hole) 및 이에 대응되어 시료를 수용하기 위한 반응벽(reaction wells)을 제공하는 커버 및 (b) 분리된 각 구획 내에 센서 셀들(cells)을 구비한 센서 칩을 포함하며,상기 센서 칩은 (i) 절연성 기판; 절연성 기판의 제1면에 상기 분리된 각 구획의 작업전극 및 상대전극에 대응되는 지점에서 형성된 전극용 제1 전기 접촉부들(electrical contacts for electreodes); 및 절연성 기판의 제2면에 상기 제1 전기 접촉부들에 대응되는 지점에서 절연성 기판을 관통하여 형성된 회로 연결용 제2 전기 접촉부들(electrical contacts to circuit)을 구비한 인쇄 회로 기판(printed circuit board, PCB), 및 (ii) 상기 제1 전기 접촉부들 상에 형성된 작업전극 및 상대전극을 구비한 센서 셀들(cells)을 포함하는 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 각 구획을 한정하는 홀을 갖는 커버는 수계 시료 용액이 각 구획 내 센서 셀의 센서 전극 표면 위에만 머물도록 소수성 재료로 제조된 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 상기 구획은 수계 중금속 측정용 시료 5 ~ 100 μL 를 수용할 수 있는 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 타겟 금속의 수준(level) 측정 하한은 nM 스케일인 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 타겟 금속은 납, 구리, 카드뮴 및 아연으로 구성된 군에서 선택된 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 타겟 금속의 최대 측정 수준(level)은 1
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제1항에 있어서, 전극은 은, 구리, 금 및 백금으로 구성된 군에서 선택된 재료로 미세가공한 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 상기 작업전극 및 상대전극을 구비한 구획들은 미세가공 기술로 형성된 상대-기준전극(quasi-reference electrode)을 더 포함하는 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 상기 센서 칩은 cm-크기의 칩 형태인 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항에 있어서, 상기 구획의 단면적은 원형 또는 타원형인 것이 특징인 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서
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제1항, 및 제3항 내지 제11항 중 어느 한 항에 기재된 수계 중금속 측정용 회전 디스크형 전기화학센서를 사용하는 것이 특징인 수계 중금속 측정 방법
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제12항에 있어서, 교반 없이 또는 별도의 측정 시료 중 산소 제거 공정없이 수계 중금속 측정하는 것이 특징인 수계 중금속 측정 방법
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