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열전변환 소자 및 그 제조방법(Thermoelectric conversion device and the manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016019627
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강자성/반강자성 물질 박막층의 접합구조로 이루어진 스핀 열전변환 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로,본 발명에 따른 열전변환 소자는, 기판; 상기 기판 상에 형성되고 일정한 자화 방향을 가지는 강자성 물질 박막층; 상기 강자성 물질 박막층 상의 일 영역에 형성되고 정렬된 자화 방향을 가진 제1 반강자성 물질 박막층; 및, 상기 강자성 물질 박막층 상의 타 영역에 상기 제1 반강자성 물질 박막층과 연결되어 형성되는 비정렬된 자화 방향을 가진 제2 반강자성 물질 박막층을 포함한다.
Int. CL H01L 35/32 (2006.01)
CPC H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01) H01L 35/32(2013.01)
출원번호/일자 1020150068080 (2015.05.15)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1685640-0000 (2016.12.06)
공개번호/일자 10-2016-0135057 (2016.11.24) 문서열기
공고번호/일자 (20161213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.15)
심사청구항수 18

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병국 대한민국 대전광역시 유성구
2 김동준 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 이원희 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 성지하이츠빌딩*차 ***호 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0468054-18
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.01.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.03.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0013132-21
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0314101-36
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.03 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0537493-80
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.03 수리 (Accepted) 1-1-2016-0537478-05
7 등록결정서
Decision to grant
2016.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0777920-94
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 상에 형성되고 일정한 자화 방향을 가지는 강자성 물질 박막층;상기 강자성 물질 박막층 상의 일 영역에 형성되고 정렬된 자화 방향을 가진 제1 반강자성 물질 박막층;상기 강자성 물질 박막층 상의 타 영역에 상기 제1 반강자성 물질 박막층과 연결되어 형성되는 비정렬된 자화 방향을 가진 제2 반강자성 물질 박막층을 포함하는 열전변환 소자
2 2
청구항 1에 있어서,상기 제1 반강자성 물질 박막층 및 제2 반강자성 물질 박막층은 상호 교대로 접합되고 절곡 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
3 3
청구항 1에 있어서,상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층은 동일한 물질로 이루어지며,상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층의 두께는 서로 다른 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
4 4
청구항 1에 있어서,상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층은 동일한 물질로 이루어지며,상기 제1 반강자성 물질 박막층의 두께는 상기 제2 반강자성 물질 박막층의 두께보다 큰 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
5 5
청구항 1에 있어서,상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층은 동일한 반강자성 물질로 이루어지며, 상기 반강자성 물질은 기설정된 두께 이하에서는 열전신호가 증가하고, 기설정된 두께를 초과하면 열전신호가 감소하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
6 6
청구항 1에 있어서,상기 강자성 물질 박막층의 면방향에 수직으로 온도 구배를 인가하면, 상기 강자성 물질 박막층으로부터 상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층을 향하여 흐르는 스핀류가 생성되고, 상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층에서의 역 스핀 홀 효과에 의해, 상기 강자성 물질 박막층의 자화 방향의 수직 방향으로 전류가 생성되는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
7 7
청구항 6에 있어서,상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층의 계면에는, 상기 생성된 스핀류에 의해 발생한 열전신호 출력하는 출력 단자가 형성되는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
8 8
청구항 1에 있어서,상기 강자성 물질 박막층은 Co, Fe, B 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 제1 반강자성 물질 박막층과 상기 제2 반강자성 물질 박막층은 Ir, Mn 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
9 9
청구항 1 내지 청구항 8 중 어느 한 항에 의한 열전변환 소자가 복수개 구비되며, 상기 복수개의 열전변환 소자 각각에 형성된 제1 반강자성 물질 박막층과 제2 반강자성 물질 박막층은 상호 교대로 접합되고 절곡 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자
10 10
기판 상에 강자성 물질 박막 및 반강자성 물질 박막을 순차적으로 형성하는 단계;상기 반강자성 물질 박막 상에 식각 마스크를 형성하는 단계;식각 공정을 진행하여, 강자성 물질 박막층 및 반강자성 물질 박막층을 형성하는 단계;상기 반강자성 물질 박막층 상에 식각 마스크를 형성하는 단계;식각 공정을 진행하여 상기 식각 마스크에 의해 식각되지 않은 반강자성 물질 박막층은 정렬된 자화 방향을 가지도록 하고, 식각된 반강자성 물질 박막층은 비정렬된 자화 방향을 가지도록 하는 단계를 포함하는 열전변환 소자 제조 방법
11 11
기판 상에 강자성 물질 박막층을 형성하는 단계;상기 강자성 물질 박막층 상에 반강자성 물질 박막층을 형성하는 단계;상기 반강자성 물질 박막층 상에 식각 마스크를 형성하는 단계;상기 식각 마스크가 형성된 반강자성 물질 박막층을 식각하여, 상기 식각 마스크에 의해 식각되지 않은 반강자성 물질 박막층은 정렬된 자화 방향을 가지도록 하고, 식각에 의해 형성된 반강자성 물질 박막층은 비정렬된 자화 방향을 가지도록 하는 단계를 포함하는 열전변환 소자 제조 방법
12 12
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 강자성 물질 박막층과 상기 반강자성 물질 박막층은 절곡 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자 제조 방법
13 13
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 반강자성 물질 박막층은 기설정된 두께 이하에서는 열전신호가 증가하고, 기설정된 두께를 초과하면 열전신호가 감소하는 반강자성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전변환 소자 제조 방법
14 14
청구항 10 또는 청구항 11에 있어서,상기 강자성 물질 박막층은 Co, Fe, B 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 반강자성 물질 박막층은 Ir, Mn 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자 제조 방법
15 15
기판 상에 강자성 물질 박막층을 형성하는 단계;상기 강자성 물질 박막층 상에 제1 반강자성 물질 박막 패턴을 형성하는 단계;상기 제1 반강자성 물질 박막 패턴 상에 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크가 형성된 제1 반강자성 물질 박막 패턴 상에 제2 반강자성 물질 패턴을 형성하여, 제1 반강자성 물질 박막 패턴 위에 제2 반강자성 물질 박막 패턴이 형성된 영역은 정렬된 자화 방향을 가지도록 하고, 제1 반강자성 물질 박막 패턴 위에 제2 반강자성 물질 박막 패턴이 형성되지 않은 영역은 비정렬된 자화 방향을 가지도록 하는 단계를 포함하는 열전변환 소자 제조 방법
16 16
청구항 15에 있어서,상기 강자성 물질 박막층, 상기 제1 반강자성 물질 박막 패턴, 그리고 상기 제2 반강자성 물질 박막 패턴은 절곡 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자 제조 방법
17 17
청구항 15에 있어서,상기 제1 반강자성 물질 박막 패턴과 상기 제2 반강자성 물질 박막 패턴은 기설정된 두께 이하에서는 열전신호가 증가하고, 기설정된 두께를 초과하면 열전신호가 감소하는 반강자성 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 열전변환 소자 제조 방법
18 18
청구항 15에 있어서,상기 강자성 물질 박막층은 Co, Fe, B 중 적어도 어느 하나를 포함하며, 상기 제1 반강자성 물질 박막 패턴 및 제2 반강자성 물질 박막 패턴은 Ir, Mn 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전변환 소자 제조 방법
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 / 일반연구자지원사업 차세대 스핀트로닉스 소자를 위한 저전력 스핀 제어 기술 개발
2 미래창조과학부 한국과학기술원 이공분야기초연구사업 / 중견연구자지원사업 반강자성 물질을 이용한 스핀트로닉스 소재 및 소자 개발