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반도체 성장용 기판, 그리고상기 반도체 성장용 기판 위에 성장된 반도체 박막을 포함하며,상기 반도체 성장용 기판은 표면에 레이저를 조사하여 형성된 결정 구조 변형 영역을 포함하고,상기 반도체 박막은 상기 결정 구조 변형 영역 위에도 형성되며, 상기 결정 구조 변형 영역의 형상은 복수개의 선 형상이고, 상기 복수개의 선 형상 사이의 평균 간격은 10㎛ 내지 1cm이고 선폭은 1 내지 100㎛인 것인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 결정 구조 변형 영역은 결정 구조가 단결정 구조에서 비정질 구조로 변형된 것인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 복수개의 선 형상은 스트라이프 무늬, 격자 무늬, 다각형 무늬, 원형 무늬 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나의 무늬로 형성되는 것인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 반도체 성장용 기판은 패턴된 것인 반도체 소자
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제 1 항에 있어서,상기 기판은 실리콘 기판, 사파이어 기판 및 실리콘 카바이드 기판으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 반도체 소자
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반도체 성장용 기판에 레이저를 조사하여 결정 구조 변형 영역을 형성하는 단계, 그리고상기 반도체 성장용 기판 위에 반도체 박막을 성장시키는 단계를 포함하며,상기 반도체 박막은 상기 결정 구조 변형 영역 위에도 형성되며, 상기 결정 구조 변형 영역의 형상은 복수개의 선 형상이고, 상기 복수개의 선 형상 사이의 평균 간격은 10㎛ 내지 1cm이고 선폭은 1 내지 100㎛인 것인 반도체 소자의 제조 방법
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제 9 항에 있어서,상기 레이저는 다이오드 레이저, DPSS(DIODE PUMPED SOLID STATE) 레이저, KrF 엑시머(KRYPTON FLUORIDE EXCIMER) 레이저, ArF 엑시머(ARGON FLUORIDE EXCIMER) 레이저, 나노초 레이저, 펨토초 레이저 및 아토초 레이저로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나인 것인 반도체 소자의 제조 방법
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