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발광 다이오드(Light Emitting Diode)

  • 기술번호 : KST2016019737
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 광 추출 효율이 향상된 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명의 일 실시예에 따른 발광 다이오드는, p형 반도체층, 상기 p형 반도체층 상에 형성되는 투명 전극층 및 상기 투명 전극층 상에 형성되는 p형 반사전극층을 포함하고, 상기 투명 전극층은 나노 구조를 갖는 물질 및 나노 기공으로 구성되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의한 발광 다이오드는 보다 높은 반사도 및 보다 높은 오믹 접촉 저항 특성을 갖는 전극층을 이용함으로써 종래에 비해 보다 높은 광 추출 효율을 갖는다는 장점이 있다.
Int. CL H01L 33/40 (2010.01) H01L 33/42 (2010.01) H01L 33/14 (2010.01) H01L 33/36 (2010.01) H01L 33/38 (2010.01)
CPC
출원번호/일자 1020160155193 (2016.11.21)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0137476 (2016.11.30)
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자
심사청구항수 0
인명정보가 없습니다
행정처리가 정보가 없습니다
청구항 정보가 없습니다
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.