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용액 속의 이온 농도를 측정하는 이온 농도 측정 장치로서, 상기 용액과 접촉하는 하나의 이온 감응막, 상기 하나의 이온 감응막에 게이트 전극이 각각 연결되는 복수의 트랜지스터, 그리고상기 복수의 트랜지스터의 드레인 전류를 각각 입력 받고, 상기 드레인 전류를 주파수 정보로 변경하며, 상기 주파수 정보를 이용하여 상기 이온 농도에 대한 정보를 생성하는 판독부를 포함하는 이온 농도 측정 장치
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제1항에 있어서, 상기 복수의 트랜지스터의 게이트 전극은 각각 게이트 금속을 통해 상기 하나의 이온 감응막에 연결되며, 상기 게이트 금속에서 상기 게이트 전극과 접촉하는 영역을 제외한 나머지 영역 중 적어도 일부가 상기 하나의 이온 감응막과 접촉하는 이온 농도 측정 장치
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제1항에 있어서, 상기 판독부는, 상기 드레인 전류를 각각 입력 받아 구형파 전압을 생성하는 링 발진기, 상기 구형파 전압의 주파수를 낮은 주파수로 변경하는 주파수 분주기, 그리고상기 낮은 주파수로 변경된 상기 구형파 전압에 대해서 펄스를 카운터하여, 상기 이온 농도 정보를 생성하는 카운터를 포함하는 이온 농도 측정 장치
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제3항에 있어서, 상기 링 발진기는 상기 드레인 전류를 각각 바이어스 단자로 입력 받는 복수의 인버터를 포함하며, 상기 복수의 인버터는 서로 출력 단자와 입력 단자가 연결되어 있는 이온 농도 측정 장치
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제1항에 있어서, 상기 복수의 트랜지스터는 MOSFET(metal oxide semiconductor field effect transistor)인 이온 농도 측정 장치
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용액과 접촉하는 이온 감응막을 이용하여 이온 농도를 측정하는 방법으로서, 하나의 이온 감응막과 게이트 전극이 각각 연결되는 복수의 트랜지스터를 이용하여, 상기 하나의 이온 감응막의 계면 전위를 복수의 전류로 변환하는 단계, 상기 복수의 전류를 각각 이용하여, 주파수 정보로 변환하는 단계, 그리고상기 주파수 정보를 카운팅하여, 상기 이온 농도에 대한 정보를 생성하는 단계를 포함하는 이온 농도 측정 방법
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제6항에 있어서, 상기 주파수 정보로 변환하는 단계는, 상기 복수의 전류를 구형파 전압으로 변경하는 단계, 그리고상기 구형파 전압의 주파수를 낮은 주파수로 변경하는 단계를 포함하는 이온 농도 측정 방법
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제6항에 있어서, 상기 복수의 전류는 각각 상기 복수의 트랜지스터의 드레인 전류인 이온 농도 측정 방법
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제6항에 있어서, 상기 복수의 트랜지스터의 게이트 전극은 각각 게이트 금속을 통해 상기 하나의 이온 감응막과 연결되며, 상기 게이트 금속에서 상기 게이트 전극과 접촉하는 영역을 제외한 나머지 영역 중 적어도 일부가 상기 하나의 이온 감응막과 접촉하는 이온 농도 측정 방법
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하나의 이온 감응막과 게이트 전극이 연결되는 제1 트랜지스터, 상기 하나의 이온 감응막과 게이트 전극이 연결되는 제2 트랜지스터, 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전류를 바이어스 단자를 통해 입력 받는 제1 인버터, 상기 제2 트랜지스터의 드레인 전류를 바이어스 단자를 통해 입력 받고, 입력 단자가 상기 제1 인버터의 출력 단자와 연결되는 제2 인버터, 입력 단자가 상기 제2 인버터의 출력 단자에 연결되고 출력 단자가 상기 제1 인버터의 입력 단자에 연결되는 제3 인버터, 그리고상기 제3 인버터의 출력 단자로부터 출력되는 펄스에 대한 주파수 정보를 카운팅하는 카운터를 포함하는 이온 농도 측정 장치
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제10항에 있어서, 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극은 게이트 금속을 통해 상기 하나의 이온 감응막에 연결되며, 상기 게이트 금속에서 상기 제1 트랜지스터의 게이트 전극 및 상기 제2 트랜지스터의 게이트 전극과 접촉하는 영역을 제외한 나머지 영역 중 적어도 일부가 상기 하나의 이온 감응막과 접촉하는 이온 농도 측정 장치
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제10항에 있어서, 상기 제3 인버터의 출력 단자로부터 상기 펄스를 입력 받고, 상기 펄스의 주파수를 낮은 주파수로 변경하여 상기 주파수 정보를 생성하는 주파수 분주기를 더 포함하는 이온 농도 측정 장치
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제10항에 있어서, 상기 주파수 정보는 상기 제1 트랜지스터의 드레인 전류 및 상기 제2 트랜지스터의 드레인 전류에 따라 변동되는 이온 농도 측정 장치
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제10항에 있어서, 상기 하나의 이온 감응막과 게이트 전극이 연결되는 제3 트랜지스터를 더 포함하며, 상기 제3 인버터의 바이어스 단자는 상기 제3 트랜지스터의 드레인 전류를 입력 받는 이온 농도 측정 장치
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