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반응 플라스크에서 아연 화합물을 옥타데센 및 올레산 혼합 용매에 용해시킨 아연 화합물 용액을 250 내지 350℃까지 가열하는 제1단계;별도의 반응 플라스크에서 셀레늄 분말을 트리-n-부틸포스핀 또는 트리옥틸포스핀 옥사이드 및 옥타데센의 혼합 용매에 분산시켜 불균일계 셀레늄 전구체 용액을 준비하는 제2단계;제1단계의 반응 플라스크에 제2단계로부터 준비한 용액을 첨가하는 제3단계;상기 제3단계의 반응 플라스크를 170 내지 230℃까지 냉각시키고 상기 반응 플라스크에 도판트를 트리-n-부틸포스핀 또는 트리옥틸포스핀 옥사이드 및 옥타데센의 혼합 용매에 용해시켜 준비한 도판트 용액을 첨가하는 제4단계;제4단계의 반응 플라스크를 200 내지 270℃까지 가열하고 해당 온도에서 1시간 내지 3시간 동안 유지하여 숙성시키는 제5단계; 및상기 제5단계의 반응 플라스크를 10 내지 35℃까지 서서히 냉각시키고 무수에탄올을 첨가하여 침전을 형성하는 제6단계를 포함하는, 가시광선 영역에서 방출 피크를 갖는 올레산 캡핑된 ZnSe 기반 나노결정의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 나노결정은 2 내지 10 nm 직경의 크기를 갖는 것인 올레산 캡핑된 ZnSe 기반 나노결정의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 도판트의 함량은 ZnSe에 대해 0
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제1항에 있어서,상기 도판트는 구리 이온 또는 망간 이온인 것인 올레산 캡핑된 ZnSe 기반 나노결정의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 도판트가 구리 이온인 경우, 500 내지 570 nm 범위의 녹색 광을 방출하는 것인 올레산 캡핑된 ZnSe 기반 나노결정의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 도판트가 망간 이온인 경우, 600 내지 665 nm 범위의 적색 광을 방출하는 것인 올레산 캡핑된 ZnSe 기반 나노결정의 제조방법
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 기재된 방법으로 제조된 가시광선 영역에서 방출 피크를 갖는 올레산 캡핑되고 망간 이온 도판트를 포함하는 ZnSe 기반 나노결정
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제7항에 있어서,600 내지 665 nm 범위의 적색 광을 방출하는 것이 특징인 올레산 캡핑되고 망간 이온 도판트를 포함하는 ZnSe 기반 나노결정
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