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발광 다이오드의 저항 측정 방법 및 장치(Method and Device for Measuring Resistance of LED)

  • 기술번호 : KST2016019797
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 비파괴적으로 발광 다이오드의 저항값을 정확하게 측정할 수 있는 발광 다이오드의 저항 측정 방법 및 장치가 개시된다. 개시된 발광 다이오드의 저항 측정 방법은, 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 이용하여, 상기 발광 다이오드에 대한 주입 전류 중 제1발광 전류 성분을 측정하는 단계; 상기 제1발광 전류 성분을 모델링하여, 제2발광 전류 성분을 생성하는 단계; 및 상기 발광 다이오드로의 인가 전압에 따른 상기 제1 및 제2발광 전류 성분을 이용하여, 상기 발광 다이오드의 저항 값을 산출하는 단계를 포함한다.
Int. CL G01R 19/165 (2006.01) G01R 27/08 (2006.01) G01R 31/26 (2014.01)
CPC G01R 27/08(2013.01) G01R 27/08(2013.01) G01R 27/08(2013.01) G01R 27/08(2013.01)
출원번호/일자 1020150071767 (2015.05.22)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0137119 (2016.11.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170008420;
심사청구여부/일자 Y (2015.05.22)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심종인 대한민국 서울특별시 서초구
2 한동표 대한민국 경기도 안양시 동안구
3 신동수 대한민국 경기도 안산시 단원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 민영준 대한민국 서울특별시 강남구 남부순환로 ****, *층(도곡동, 차우빌딩)(맥스국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0494137-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.01.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.02.05 수리 (Accepted) 9-1-2016-0008759-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.09.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0679426-74
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1022251-37
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1022258-56
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.12.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0932423-51
8 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.01.18 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0059929-40
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0059832-10
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0059945-71
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2017.02.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0136312-77
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.04.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0328568-04
13 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.04.04 수리 (Accepted) 1-1-2017-0328577-15
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2017.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0301900-30
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번호 청구항
1 1
발광 다이오드의 저항 측정 방법에 있어서,상기 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 이용하여, 상기 발광 다이오드에 대한 주입 전류 중 제1발광 전류 성분을 측정하는 단계;상기 제1발광 전류 성분을 모델링하여, 제2발광 전류 성분을 생성하는 단계; 및상기 발광 다이오드로의 인가 전압에 따른 상기 제1 및 제2발광 전류 성분을 이용하여, 상기 발광 다이오드의 저항 값을 산출하는 단계를 포함하며,상기 제2발광 전류 성분을 생성하는 단계는상기 제1발광 전류 성분에 대한 쇼클리 다이오드 방정식을 이용하여, 상기 주입 전류에 따른 상기 제1발광 전류 성분의 이상 계수를 복수개 산출하는 단계; 상기 복수개의 이상 계수 중, 기 설정된 주입 전류 영역에 포함된 이상 계수 중에서 하나를 선택하는 단계; 및상기 선택된 이상 계수가 상기 쇼클리 다이오드 방정식에 대입된 모델링 식을 이용하여, 상기 제2발광 전류 성분을 생성하는 단계를 포함하는 저항 측정 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서,상기 저항 값을 산출하는 단계는상기 제1발광 전류 성분에 따른 전압과 상기 제2발광 전류 성분에 따른 전압의 차이를 상기 제1발광 전류 성분에 대해 선형적으로 근사화하여, 상기 저항 값을 산출하는 저항 측정 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 주입 전류에 따른 상기 발광 다이오드의 자연방출광의 세기를 이용하여, 상기 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 계산하는 단계를 더 포함하는 저항 측정 방법
6 6
발광 다이오드의 저항 측정 방법에 있어서,상기 발광 다이오드의 내부 양자 효율을 이용하여, 상기 발광 다이오드에 대한 주입 전류 중 제1비발광 전류 성분을 측정하는 단계;상기 제1비발광 전류 성분을 모델링하여, 제2비발광 전류 성분을 생성하는 단계; 및상기 발광 다이오드로의 인가 전압에 따른 상기 제1 및 제2비발광 전류 성분을 이용하여, 상기 발광 다이오드의 저항 값을 산출하는 단계를 포함하며,상기 제2비발광 전류 성분을 생성하는 단계는상기 제1비발광 전류 성분에 대한 쇼클리 다이오드 방정식을 이용하여, 상기 주입 전류에 따른 상기 제1비발광 전류 성분의 이상 계수를 복수개 산출하는 단계; 상기 복수개의 이상 계수 중, 기 설정된 주입 전류 영역에서 포함된 이상 계수 중에서 하나를 선택하는 단계; 및상기 선택된 이상 계수가 상기 쇼클리 다이오드 방정식에 대입된 모델링 식을 이용하여, 상기 제2비발광 전류 성분을 생성하는 단계를 포함하는 저항 측정 방법
7 7
제 6항에 있어서,상기 제1비발광 전류 성분을 측정하는 단계는상기 주입 전류에서, 상기 내부 양자 효율에 따른 발광 전류 성분을 제거하여 상기 제1비발광 전류 성분을 측정하는저항 측정 방법
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9 9
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제 6항에 있어서,상기 저항 값을 산출하는 단계는상기 제1비발광 전류 성분에 따른 전압과 상기 제2비발광 전류 성분에 따른 전압의 차이를 상기 제1비발광 전류 성분에 대해 선형적으로 근사화하여, 상기 저항 값을 산출하는 저항 측정 방법
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101733374 KR 대한민국 FAMILY
2 US20180143231 US 미국 FAMILY
3 WO2016190523 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2018143231 US 미국 DOCDBFAMILY
2 WO2016190523 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 산업통상자원부 한양대학교 에리카산학협력 산업기술혁신사업 / 산업핵심기술개발사업 / 전자정보디바이스산업원천기술개발사업(RCMS) 전력변환효율 75%급 LED 광소자 공정 및 표준 분석 기술 개발