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초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법(topological phase transition method of three dimensional topological insulator using ultrafast terahertz field modulation)

  • 기술번호 : KST2016019830
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 3차원 위상절연체 물질 의 성분비를 조절하여, 위상절연체 표면의 금속특성을 갖는 준위와 벌크의 포논 공진의 커플링 정도를 변화시켜 이 물질을 통과하는 테라헤르츠파의 스펙트럼을 비대칭적 모양으로 모듈레이션하는 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법을 제공하기 위한 것으로서, 표면(노란색)의 에너지 준위가 금속성의 특성(TSS(topological surface state))이고, 내부의 벌크는 인슐레이터(insulator) 혹은 위상절연체을 가지는 3차원 위상절연체의 물질에 인듐(In)을 첨가하여 상기 벌크에서 발생된 테라헤르츠의 제 1 리스펀스와 상기 금속성 특성부분에서 발생된 테라헤르츠의 제 2 리스펀스 간의 상호작용이나 간섭을 통해 파노 공명(Fano Resonance : FR)을 비대칭성으로 발생시키는 것을 특징으로 한다.
Int. CL G01R 25/04 (2006.01)
CPC G01R 25/04(2013.01) G01R 25/04(2013.01) G01R 25/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150071844 (2015.05.22)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0137150 (2016.11.30) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.22)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최현용 대한민국 서울특별시 송파구
2 심상완 대한민국 서울특별시 서대문구
3 차순영 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정기택 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)
2 오위환 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로**길 **, *층 (반포동, 새로나빌딩)(스카이특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 서울특별시 서대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.22 수리 (Accepted) 1-1-2015-0494685-62
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0025556-02
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0853489-77
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.01.31 수리 (Accepted) 1-1-2017-0102328-19
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2017.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0198579-34
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2017.03.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0299522-34
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0299494-43
9 등록결정서
Decision to grant
2017.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0509653-79
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번호 청구항
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3차원 위상절연체의 물질 표면의 에너지 준위가 금속특성(TSS(topological surface state))을 가지고, 3차원 위상절연체의 물질 내부의 벌크는 인슐레이터(insulator) 혹은 위상절연체를 가지는 3차원 위상절연체의 물질에 인듐(In)을 첨가하여 상기 벌크에서 발생된 테라헤르츠의 제 1 리스펀스와 상기 금속특성 부분에서 발생된 테라헤르츠의 제 2 리스펀스 간의 상호작용이나 간섭을 통해 파노 공명(Fano Resonance : FR)을 비대칭성으로 발생시키는 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 3차원 위상절연체 물질은 비스무스 셀레나이드(Bi2se3)인 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 첨가되는 인듐은 치환 농도가 6% 이하로 치환되는 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법
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제 1 항에 있어서,상기 인듐(In)이 첨가된 3차원 위상절연체의 물질에 광학 펄스를 조사시켜 제 1 리스펀스와 제 2 리스펀스 간의 상호작용이나 간섭을 통해 파노 공명(Fano Resonance : FR)을 비대칭성으로 발생시키는 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법
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제 4 항에 있어서,상기 광학 펄스는 800나노미터(nm)의 크기인 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법
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제 4 항에 있어서,상기 광학 펄스는 테라헤르츠 펄스와 광학펄스와의 시간에 따라 0
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제 6 항에 있어서,상기 3차원 위상절연체의 물질에 첨가되는 인듐(In)은 치환 농도가 4% 인 것을 특징으로 하는 초고속 테라헤르츠파 모듈레이션을 위한 3차원 위상절연체의 토플로지 변화 방법
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1 미래창조과학부 연세대학교 일반연구자지원사업(신진연구) 초광대역 테라헤르츠 기술을 이용한 그래핀 레이저에 관한 연구
2 미래창조과학부 서울대학교 선도연구센터 테라헤르츠파기반 생체응용시스템 연구센터
3 미래창조과학부 KAIST 글로벌프론티어사업 전자기 극한물성 능동제어 기술