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방사선 입사에 의해 전하가 생성되는 방사선 감응형 반도체;상기 반도체의 제1 영역에 배치되어 상기 반도체에 전압을 인가하는 제1 전극; 상기 반도체의 제2 영역에 배치되어 상기 생성된 전하를 수집하는 제2 전극; 및적어도 상기 반도체의 제2 영역의 표면에 배열된 다수의 나노 구조체를 포함하며, 상기 반도체는 CdTe, CdMTe(여기서, M은 Zn 또는 Mn임), CdZnxTey1Sey2 (x+(y1+y2)=1), TlBr, YI2(Y는 Hg 또는 Pb임), AlSb, PbSe 및 PbO로 구성된 그룹으로부터 선택된 물질을 포함하며, 상기 제2 전극은 Ni, Cr, Ti 및 Pt로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하며, 상기 다수의 나노 구조체는 상기 제2 전극과 상기 반도체의 제2 영역의 계면에 위치하여, 상기 반도체와 상기 제2 전극의 계면에서의 유효 쇼트키 장벽을 국부적으로 낮추는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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제1항에 있어서,상기 반도체는 108Ω㎝ 이상의 비저항을 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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제1항에 있어서, 상기 나노 구조체는 Ag, Au, Al, Cu, Pd, Pt, ITO(Sn-doped In2O3) 및 AZO(Al-doped ZnO)로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 100㎚ 이하의 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 B, Al, Ca, Sc, Ti, Fe, Co, Ni, Cu, Ge, Se, Sr, Ru, Rh, Pd, Ag, Te, Ba, Lu, Ta, Ir, Pt, Au, Tl 및 Pb로 구성된 그룹으로부터 선택된 금속 또는 이를 포함한 합금인 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 투명 전도성 산화물인 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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제8항에 있어서,상기 나노 구조체는 선택적으로 도핑된 In2O3, SnO2, ZnO, Cu-Oxide, NiO 및 TiO2로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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제1항에 있어서,상기 나노 구조체는 ZrO2, HfO2, SiO2, CeO2, MgO, Al2O3, SiNx 및 MgF2로 구성된 그룹으로부터 선택된 적어도 하나의 절연성 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 방사선 검출소자
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