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반도체 소자의 제조 방법(METHOD FOR FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICE)

  • 기술번호 : KST2016020017
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 반도체 소자의 제조 방법은 기판을 제공하는 것; 상기 기판 상부에 도전형을 가지는 적어도 한 개 이상의 도핑 영역을 형성하는 것;; 상기 기판 상에 도전성을 갖는 불순물 또는 패시베이션 물질을 포함하고 있는 캐핑층을 형성하는 것; 및 상기 기판을 열처리하여 상기 캐핑층과 접하는 상기 기판의 상부에 도전형을 가지는 확산 영역을 형성하거나 상기 기판의 상부의 표면을 개질하는 것을 포함하되, 상기 기판은 실리콘 카바이드(SiC) 기판이다.
Int. CL H01L 21/82 (2006.01) H01L 29/24 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) H01L 21/56 (2006.01) H01L 21/8258 (2006.01) H01L 21/324 (2006.01)
CPC H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01) H01L 21/8213(2013.01)
출원번호/일자 1020160030457 (2016.03.14)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0140354 (2016.12.07) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150073135   |   2015.05.26
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박건식 대한민국 대전시 유성구
2 원종일 대한민국 세종특별자
3 조두형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2016.03.14 수리 (Accepted) 1-1-2016-0244401-17
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번호 청구항
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기판을 제공하는 것;상기 기판의 상부에 적어도 한 개의 도핑 영역을 형성하는 것;상기 기판 상에 도전형을 갖는 불순물 또는 패시베이션 물질을 포함하는 캐핑층을 형성하는 것; 및상기 기판을 열처리하여, 상기 캐핑층과 접하는 상기 기판의 상부에 상기 도전형을 가지는 확산 영역을 형성하거나, 상기 기판의 상부의 표면을 개질하는 것을 포함하되,상기 기판은 상기 실리콘 카바이드(SiC) 기판인 반도체 소자의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.