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투명 전극 박막 및 이의 제조방법(Transparent electrode thin film and the preparing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016020103
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 투명 전극 박막 및 이의 제조방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 나노 클러스터층을 포함함으로써 질화물 반도체와의 오믹접촉 형성을 위한 투명 전극 박막 및 이의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명에 따르면 질화갈륨 반도체의 표면에 스퍼터링 방식으로 투명 전극을 형성할 시 스퍼터링에 앞서 나노 클러스터 층을 형성함으로써, 스퍼터링에 의한 이온 데미지를 억제할 수 있어 질화물 반도체층에 우수한 오믹 접촉을 형성할 수 있다.
Int. CL H01L 21/28 (2006.01) H01L 33/42 (2010.01) H01L 21/02 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020160125722 (2016.09.29)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0140522 (2016.12.07) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자 10-2015-0073711 (2015.05.27)
관련 출원번호 1020150073711
심사청구여부/일자 Y (2016.09.29)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 길영운 대한민국 전라북도 김제시
2 정성훈 대한민국 전라북도 전주시 완산구
3 김현수 대한민국 전라북도 전주시 완산구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이룸리온 대한민국 서울특별시 서초구 사평대로 ***, *층 (반포동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2016.09.29 수리 (Accepted) 1-1-2016-0947617-16
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0790626-25
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.12.26 수리 (Accepted) 1-1-2016-1273359-89
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.12.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1273331-12
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2017.05.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0328839-18
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2017.05.29 수리 (Accepted) 1-1-2017-0510781-93
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2017.05.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2017-0510756-51
8 등록결정서
Decision to grant		 2017.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0817824-71
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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질화물 반도체층의 상부에 백금(Pt) 금속층을 15 Å ~ 25Å의 두께로 증착하는 1단계;상기 백금(Pt) 금속층을 질소분위기에서 700℃ ~ 800℃의 온도로 5 ~ 10 분 동안 열처리하여 금속층을 10 ~ 20nm의 높이를 가지는 나노 클러스터 층으로 변환시키는 2단계; 및상기 나노 클러스터 층의 상부에 스퍼터링 공정을 이용하여 ITO(Indium-tin oxide) 투명 전극을 형성하는 3단계; 를 포함하고,상기 나노 클러스터 층은 나노 클러스터가 형성되지 않은 빈 부분의 면적이 나노 클러스터의 면적에 대하여 20 ~ 40%이고, 파장 450 nm에서 측정한 투과도가 85% ~ 90%이며 면저항은 15 ~ 20 Ω/cm2인 투명 전극 박막의 제조방법
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 한국연구재단 전북대학교 산학협력단 지역혁신인력양성사업 UV LED 소자 제조 및 응용기술 개발
2 한국연구재단 전북대학교 산학협력단 기초연구실지원사업 나노리소그라피 기반 LED 기초연구실