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1
c-면 기판;상기 c-면 기판 상에 형성된 Ⅲ족 질화물층; 및상기 Ⅲ족 질화물층 상에 순차적으로 형성된 제1반도체층, 활성층, 및 제2반도체층;을 포함하며,상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층은 외부로 노출되어 있는 반도체 레이저 다이오드
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2
제 1 항에 있어서,상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층 상에 각각 형성된 제1전극 및 제2전극을 더 포함하는 반도체 레이저 다이오드
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3
제 2 항에 있어서,상기 제1반도체층은 n-형 반도체층, 상기 제2반도체층은 p-형 반도체층이고,상기 제1전극은 n-전극, 상기 제2전극은 p-전극인 반도체 레이저 다이오드
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4
제 2 항에 있어서,상기 제1반도체층은 p-형 반도체층, 상기 제2반도체층은 n-형 반도체층이고,상기 제1전극은 p-전극, 상기 제2전극은 n-전극인 반도체 레이저 다이오드
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5
제 1 항에 있어서,상기 Ⅲ족 질화물층 상에 형성된 마스크 패턴을 더 포함하며,상기 제1반도체층은 선택적으로 성장된 반도체 레이저 다이오드
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6
제 5 항에 있어서,상기 마스크 패턴은 SiO2 또는 SiNx계 물질로 형성되는 반도체 레이저 다이오드
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7
제 1 항에 있어서,상기 제1반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2반도체층은 GaN계 물질로 형성되는 반도체 레이저 다이오드
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8
c-면 기판;상기 c-면 기판 상에 구비된 Ⅲ족 질화물층;상기 Ⅲ족 질화물층 상에 이격적으로 형성된 제1전극; 및상기 Ⅲ족 질화물층 상에 순차적으로 형성된 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층 및 제2전극을 포함하는 반도체 레이저 다이오드
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9
제 8 항에 있어서,상기 제1반도체층은 n-형 반도체층, 상기 제2반도체층은 p-형 반도체층이고,상기 제1전극은 n-전극, 상기 제2전극은 p-전극인 반도체 레이저 다이오드
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10
제 8 항에 있어서,상기 제1반도체층은 p-형 반도체층, 상기 제2반도체층은 n-형 반도체층이고,상기 제1전극은 p-전극, 상기 제2전극은 n-전극인 반도체 레이저 다이오드
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11
제 8 항에 있어서,상기 제1반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2반도체층은 GaN계 물질로 형성되는 반도체 레이저 다이오드
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12
c-면 기판을 형성하는 단계;상기 c-면 기판 상에 Ⅲ족 질화물층을 형성하는 단계;상기 Ⅲ족 질화물층 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 Ⅲ족 질화물층 상에 순차적으로 제1반도체층, 활성층, 제2반도체층을 형성하는 단계;상기 제1반도체층, 상기 활성층, 상기 제2반도체층이 형성하는 두 면 중에 한쪽 면의 상기 활성층 및 상기 제2반도체층을 식각하는 단계; 및상기 제1반도체층 및 상기 제2반도체층 상에 각각 제1전극 및 제2전극을 형성하는 단계;를 포함하는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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제 12 항에 있어서,상기 제1반도체층은 선택적으로 성장되는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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14
제 12 항에 있어서,상기 마스크 패턴은 SiO2 또는 SiNx계 물질로 형성되는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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15
제 12 항에 있어서,상기 제1반도체층은 n-형 반도체층, 상기 제2반도체층은 p-형 반도체층이고,상기 제1전극은 n-전극, 상기 제2전극은 p-전극인 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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16
제 12 항에 있어서,상기 제1반도체층은 p-형 반도체층, 상기 제2반도체층은 n-형 반도체층이고,상기 제1전극은 p-전극, 상기 제2전극은 n-전극인 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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17
제 12 항에 있어서,상기 제1반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2반도체층은 GaN계 물질로 형성되는 반도체 레이저 다이오드 제조방법
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