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유기 재료로 이루어진 유연성 기판을 플레이팅(Plating) 챔버 내에 제공하는 과정; 금속을 포함하는 염화물을 탈이온수에 용해하여 반응물질용액을 준비하는 과정;상기 금속을 산화시키는 산화용액을 준비하는 과정;상기 반응물질용액과 상기 산화용액을 혼합하는 과정;상기 반응물질용액과 상기 산화용액을 상기 플레이팅(Plating) 챔버 내로 공급하는 과정; 및상기 유연성 기판 상에 상기 금속의 산화물 박막을 플레이팅하는 과정을 포함하고,상기 유연성 기판 상에 산화물 박막을 플레이팅하는 과정은,상기 플레이팅 챔버 내에서 상기 반응물질용액과 상기 산화용액이 혼합된 용액 속에 상기 유연성 기판을 잠기게 하는 과정, 및상기 플레이팅 챔버 내로 상기 혼합된 용액을 유입시키면서, 상기 유연성 기판 상에서 반응을 일으킨 용액은 배출하는 과정을 포함하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 염화물은 염화니켈, 염화망간, 및 염화코발트를 포함하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 유연성 기판 상에 상기 금속의 산화물 박막을 플레이팅하는 과정은,40℃ 내지 90℃의 기판 온도에서 상기 유연성 기판 상에 상기 금속의 산화물 박막을 플레이팅하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 반응물질용액은 착이온을 생성하는 착화제를 더 포함하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화용액은 아질산나트륨 또는 과산화수소를 포함하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화물 박막을 플레이팅한 후,상기 산화물 박막을 산화분위기 또는 불활성 분위기에서 후속 열처리하는 과정을 더 포함하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 8에 있어서,상기 후속 열처리는 180℃ 내지 250℃의 온도에서 수행되는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 산화물 박막은 정방정 스피넬 및 큐빅 스피넬 결정상을 포함하고,(Ni,Mn,Co)3O4의 조성을 가지는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화물 박막은 아래의 003c#식 1003e#에 의해 정의되는 서미스터 B 정수가 3250K 내지 3550K인 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 유연성 기판 상에 상기 금속의 산화물 박막을 플레이팅하는 과정은,70℃ 내지 80℃의 기판 온도에서 상기 유연성 기판 상에 상기 금속의 산화물 박막을 플레이팅하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서,상기 산화물 박막의 비저항 값이 300Ω·cm 내지 600Ω·cm인 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 산화물 박막은 부온도특성(Negative Temperature Coefficient)을 나타내는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1에 있어서, 상기 산화물 박막에 연결되는 복수의 전극층을 형성하는 과정을 더 포함하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 15에 있어서,상기 산화물 박막 및 복수의 전극층 상에 보호층을 형성하는 과정을 더 포함하는 유연성 박막 서미스터 제조방법
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청구항 1 내지 청구항 5, 및 청구항 8 내지 청구항 16 중에서 선택된 어느 하나의 항의 방법에 의해서 제조된 유연성 박막 서미스터를 포함하는 유연성 온도 센서
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