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단일벽 탄소 나노 튜브 분산 용액을 제조하는 단계; 상기 단일벽 탄소 나노 튜브 용액을 유전 영동을 이용하여 정렬시키는 단계; 표면이 아민기로 기능화된 폴리디메틸실록산(polydimethylsiloxane) 필름을 제조하는 단계; 상기 표면이 아민기로 기능화된 폴리디메틸실록산 필름을 상기 유전 영동을 이용하여 정렬된 단일벽 탄소 나노 튜브에 압착시켜서 스탬핑하는 단계; 및 상기 표면이 기능화된 폴리디메틸실록산 필름을 분리하는 단계; 를 포함하고, 상기 단일벽 탄소 나노 튜브 분산 용액을 제조하는 단계는 계면활성제를 증류수에 용해시키는 단계; 상기 계면활성제가 용해된 증류수에 단일벽 탄소 나노 튜브를 분산시키는 단계; 및상기 단일벽 탄소 나노 튜브를 포함하는 용액을 원심분리시키는 단계; 를 더욱 포함하고, 상기 계면활성제는 소듐도데실설페이트(sodium dodecyl sulfate, SDS)인 것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단일벽 탄소 나노 튜브를 포함하는 용액을 원심분리시키는 단계는 2500 내지 3500 rpm 으로 3시간 내지 5시간 동안 수행하는 것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 단일벽 탄소 나노 튜브 용액을 유전 영동을 이용하여 정렬시키는 단계는상호 마주보도록 형성되는 제 1 및 제 2 유전 영동 전극에 1kMHz 내지 10 MHz, 2 내지 5 V 전압을 인가하여 수행하는 것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 표면이 기능화된 폴리디메틸실록산 필름을 제조하는 단계는 실리콘 엘라스토머 베이스와 실리콘 엘라스토머 큐어링 에이전트를 10:1 내지 10:2 의 중량비로 혼합하는 단계; 상기 혼합물을 기판위에 스핀 코팅하여 필름 형태로 형성하는 단계; 상기 형성된 필름을 소성하는 단계; 상기 소성된 필름의 표면을 에어 플라즈마로 처리하는 단계; 상기 에어 플라즈마로 처리된 필름을 아민기를 포함하는 화합물 수용액 내에 침지시키는 단계; 및 에탄올로 세척하여 반응하지 않은 아민기를 포함하는 화합물을 제거하는 단계; 를 포함하는 것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 아민기를 포함하는 화합물은 3-aminopropyl-triethoxysilane (C9H23NO3Si, APTES)것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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제 6 항에 있어서, 상기 소성하는 단계는 1시간 동안 900℃ 내지 1000℃ 오븐에서 소성하는 것인 것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분리된 폴리디메틸실록산 필름에는 금속성 단일벽 탄소 나노 튜브가 포함되는 것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 스탬핑하는 단계 이후 상기 유전 영동 전극 사이에 정렬된 단일벽 탄소 나노 튜브는 반도체성 단일벽 탄소 나노 튜브가 포함되는 것인 폴리디메틸실록산 필름을 이용한 단일벽 탄소 나노 튜브의 분리 방법
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