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박막형 적외선 흡수체 제조방법(METHOD FOR THIN FILM INFRARAD ABSORBER MATERIAL)

  • 기술번호 : KST2016020228
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따른 박막형 적외선 흡수체 제조방법은 (a) 글라스 기판을 준비하는 단계; (b) 글라스 기판 표면에 Ti를 증착하여 금속층을 형성시키는 단계; (c) 금속층 표면에 MgF2를 증착하여 유전체층을 형성시키는 단계; 및 (d) Ti와 MgF2의 증착을 복수 회 반복 수행하여, 금속층과 유전체층를 복층으로 형성하는 단계;를 포함하여, 적외선 흡수율을 95%이상으로 향상킬 수 있는 효과가 있다.
Int. CL C03C 17/36 (2006.01)
CPC C03C 17/3605(2013.01) C03C 17/3605(2013.01) C03C 17/3605(2013.01)
출원번호/일자 1020150064370 (2015.05.08)
출원인 울산과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자 10-1684383-0000 (2016.12.02)
공개번호/일자 10-2016-0135126 (2016.11.25) 문서열기
공고번호/일자 (20161208) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.05.08)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 백정민 대한민국 울산광역시 울주군
2 이혜진 대한민국 대구광역시 북구
3 최원준 대한민국 서울특별시 성북구
4 김상현 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.08 수리 (Accepted) 1-1-2015-0442201-36
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.09.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0069850-06
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.03.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0226458-22
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0516995-51
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.05.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0516802-69
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.05.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0517005-65
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.10.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0724232-69
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2016-1101935-34
12 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.11.11 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1101938-71
13 수수료 반환 안내서
Notification of Return of Official Fee
2016.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0167419-81
14 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0860448-70
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 글라스 기판(10)을 준비하는 단계;(b) 상기 글라스 기판(10) 표면에 Ti를 증착하여 금속층(20)을 형성시키는 단계;(c) 상기 금속층(20) 표면에 MgF2를 증착하여 유전체층(30)을 형성시키는 단계; 및(d) 상기 Ti와 상기 MgF2의 증착을 교대로 복수 회 반복 수행하여, 상기 금속층(20)과 상기 유전체층(30)이 교대로 적층된 복층으로 형성하는 단계;를 포함하되,상기 Ti와 상기 MgF2가 교대로 증착되어, 상기 금속층(20)과 상기 유전체층(30)이 10층을 이루는 것을 특징으로 하는 박막형 적외선 흡수체 제조방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 Ti은 전자선 증착(Electron Beam Evaporation)공법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막형 적외선 흡수체 제조방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 MgF2은 전자선 증착(Electron Beam Evaporation)공법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막형 적외선 흡수체 제조방법
4 4
삭제
5 5
제 1항에 있어서,상기 Ti는 10nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막형 적외선 흡수체 제조방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 MgF2는 320nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 박막형 적외선 흡수체 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 Ti의 증착파워와 증착속도는 각각 50mA와 1nm/s인 것을 특징으로 하는 박막형 적외선 흡수체 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 MgF2의 증착파워와 증착속도는 각각 2mA와 2
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.