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기판 상에 제1 물질을 포함하는 금속 나노 파티클을 형성하되, 상기 기판과 상기 금속 나노 파티클은 서로 다른 물질을 포함하고, 상기 기판은 비전도성이고,상기 기판 상의 상기 금속 나노 파티클의 위치에 ITO를 포함하는 투명 전도체를 스퍼터링(sputtering) 방식으로 증착하여 상기 기판보다 돌출되는 투명 전도체 나노 와이어를 성장시키는 것을 포함하되, 상기 나노 와이어의 상부에는 상기 제1 물질을 포함하는 금속 팁이 형성되고,상기 나노 와이어는 상기 기판과 직접 접하고,상기 금속 나노 파티클은 Ni, Pt, W, Pd, Ag 및 Al 중 적어도 하나를 포함하고,상기 금속 나노 파티클은 비정질인 나노 와이어 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 금속 나노 파티클을 형성하는 것은,상기 기판 상에 금속막을 형성하고,상기 금속막을 급속 열처리(rapid thermal processing, RTP)하여 상기 금속 나노 파티클을 형성하는 것을 포함하는 나노 와이어 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 급속 열처리는 5분 내지 30분 동안 진행되는 나노 와이어 제조 방법
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제3 항에 있어서,상기 급속 열처리는 500 내지 600℃에서 진행되는 나노 와이어 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 스퍼터링의 출력 밀도(power density)는 1
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제1 항에 있어서,상기 스퍼터링은 200 내지 800℃에서 수행되는 나노 와이어 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 스퍼터링 증착 속도(rate)는 5 내지 30nm/min인 나노 와이어 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 투명 전도체 나노 와이어는,상기 기판으로부터 제1 거리에 있는 제1 부분과,상기 기판으로부터 상기 제1 거리보다 먼 제2 거리에 있는 제2 부분을 포함하고,상기 제1 부분의 폭은 상기 제2 부분의 폭보다 큰 나노 와이어 제조 방법
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제10 항에 있어서,상기 투명 전도체 나노 와이어의 폭은 상기 기판에서 멀어질수록 점점 줄어드는 나노 와이어 제조 방법
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제1 항에 있어서,상기 투명 전도체는 단결정(single crystal)인 나노 와이어 제조 방법
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비전도성 기판;제1 물질을 포함하지 않고, ITO 단결정을 포함하고, 상기 기판과 직접 접하는 일 단부로부터 제1 방향으로 연장되는 바디(body); 및상기 바디의 타 단부에 연결되어 상기 바디의 측면을 노출시키고, 상기 제1 물질을 포함하는 팁(tip)을 포함하되,상기 제1 물질은 Ni, Pt, W, Pd, Ag 및 Al 중 적어도 하나를 포함하는 나노 와이어
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제13 항에 있어서,상기 바디는 제1 폭을 가지는 제1 지점과, 상기 제1 폭보다 좁은 제2 폭을 가지는 제2 지점을 포함하되, 상기 제1 지점은 상기 제2 지점보다 상기 일 단부로부터 가까이 위치하는 나노 와이어
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제14 항에 있어서,상기 바디의 폭은 상기 일 단부에서 멀어질수록 점점 줄어드는 나노 와이어
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