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광추출층의 제조 방법(METHOD OF FABRICATING A LIGHT EXTRACTION LAYER)

  • 기술번호 : KST2016020274
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 광추출층의 제조 방법은 조성물을 기판 상에 제공하고, 상면에 오목부들을 갖는 제1 광추출부를 조성물을 경화시켜서 형성하고, 제2 광추출부들을 오목부들 내에 형성하고, 제3 광추출부들을 제2 광추출부들 상에 형성하며, 제2 광추출부들의 굴절률은 제1 광추출부 및 제3 광추출부의 굴절률보다 크다.
Int. CL H01L 51/52 (2006.01.01)
CPC H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01) H01L 51/5262(2013.01)
출원번호/일자 1020150074213 (2015.05.27)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0141060 (2016.12.08) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2019.10.15)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종희 대한민국 대전유성 노은로 ***
2 문제현 대한민국 대전광역시 유성구
3 박승구 대한민국 대전시 서구
4 성우진 대한민국 대전광역시 서구
5 유병곤 대한민국 충북 영동군
6 이정익 대한민국 대전시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.05.27 수리 (Accepted) 1-1-2015-0510256-65
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2019.10.15 수리 (Accepted) 1-1-2019-1048610-37
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2019.10.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2019-1048609-91
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2020.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2020.06.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2020-0164760-70
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2020.11.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2020-0772746-12
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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기판 상에 조성물을 제공하는 것;상기 조성물을 경화시켜서 상면에 오목부들을 갖는 제1 광추출부를 형성하는 것;상기 오목부들 내에 제2 광추출부들을 형성하는 것; 및상기 제2 광추출부들 상에 제3 광추출부들을 형성하는 것을 포함하며,상기 제2 광추출부들의 굴절률은 상기 제1 광추출부 및 상기 제3 광추출부의 굴절률보다 큰 광추출층의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.