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측벽들에 {111}면들이 노출된 다면체이고 하부폭에 비해 상부폭이 좁은 다수의 철부들과 이들에 의해 정의된 요부들을 포함하는 실리콘 기판;상기 철부들 상에 배치된 버퍼층;상기 버퍼층 상에 차례로 배치된 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 소자층;상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 구비하고,상기 소자층이 형성된 구조체는 하부폭에 비해 상부폭이 좁고,상기 버퍼층과 상기 소자층의 두께의 합은 상기 철부의 높이에 비해 낮은 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 버퍼층, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층들인 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 다수의 철부들을 연속적으로 덮는 발광다이오드
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제3항에 있어서,상기 버퍼층의 두께, 상기 요부들의 바닥면의 폭, 및 상기 철부들의 상부면의 폭은 다음 수학식들을 만족하는 발광다이오드:b 003c# 2a×sinθc 003c# a×cos2θ상기 수학식들에서, a는 상기 버퍼층의 두께이고, b는 상기 요부의 바닥면의 폭이고, c는 상기 철부의 상부면의 폭이고, θ는 상기 요부의 바닥면과 상기 철부의 측벽이 이루는 각이다
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제4항에 있어서,상기 버퍼층의 두께와 상기 철부들의 상부면의 폭은 다음 수학식을 만족하는 발광다이오드:c 003c# a×(1-sinθ)상기 수학식에서, a는 상기 버퍼층의 두께이고, c는 상기 철부의 상부면의 폭이고, θ는 상기 요부의 바닥면과 상기 철부의 측벽이 이루는 각이다
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제3항에 있어서,상기 요부들의 바닥면 그리고 상기 철부들의 상부면 상에서 서로 연결된 상기 버퍼층의 하부에 위치하는 보이드를 더 포함하는 발광다이오드
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제1항에 있어서,상기 버퍼층은 제1 버퍼층이고,상기 제1 버퍼층 상에 배치된 반사층 및 상기 반사층 상에 배치된 제2 버퍼층을 더 포함하고,상기 제1 도전형 반도체층은 상기 제2 버퍼층 상에 배치되는 발광다이오드
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8
(100)면이 상부에 노출된 실리콘 기판을 제공하는 단계;상기 실리콘 기판 상에 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 실리콘 기판의 (100)면을 우선적으로 식각하여, 상기 실리콘 기판 내에 측벽들에 {111}면들이 노출된 다면체이고 하부폭에 비해 상부폭이 좁은 다수의 철부들과 이들에 의해 정의된 요부들을 형성하는 단계;상기 철부들 상에 버퍼층을 형성하는 단계;상기 버퍼층 상에 차례로 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 구비하는 소자층을 형성하는 단게;상기 제1 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제1 전극을 형성하는 단계; 및상기 제2 도전형 반도체층에 전기적으로 연결된 제2 전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 소자층이 형성된 구조체는 하부폭에 비해 상부폭이 좁고,상기 버퍼층과 상기 소자층의 두께의 합은 상기 철부의 높이에 비해 낮은 발광다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,상기 버퍼층, 상기 제1 도전형 반도체층, 상기 활성층, 및 상기 제2 도전형 반도체층은 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체층들인 발광다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,상기 버퍼층은 다수의 철부들을 연속적으로 덮는 발광다이오드 제조방법
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제10항에 있어서,상기 버퍼층의 두께, 상기 요부들의 바닥면의 폭, 및 상기 철부들의 상부면의 폭은 다음 수학식들을 만족하는 발광다이오드 제조방법:b 003c# 2a×sinθc 003c# a×cos2θ상기 수학식들에서, a는 상기 버퍼층의 두께이고, b는 상기 요부의 바닥면의 폭이고, c는 상기 철부의 상부면의 폭이고, θ는 상기 요부의 바닥면과 상기 철부의 측벽이 이루는 각이다
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제11항에 있어서,상기 버퍼층의 두께와 상기 철부들의 상부면의 폭은 다음 수학식을 만족하는 발광다이오드 제조방법:c 003c# a×(1-sinθ)상기 수학식에서, a는 상기 버퍼층의 두께이고, c는 상기 철부의 상부면의 폭이고, θ는 상기 요부의 바닥면과 상기 철부의 측벽이 이루는 각이다
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13
제10항에 있어서,상기 버퍼층을 형성하는 단계에서,상기 요부들의 바닥면 그리고 상기 철부들의 상부면 상에서 서로 연결된 상기 버퍼층의 하부에 보이드가 형성되는 발광다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,상기 버퍼층은 제1 버퍼층이고,상기 제1 버퍼층 상에 반사층을 형성하는 단계, 및 상기 반사층 상에 제2 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하고,상기 제1 도전형 반도체층은 상기 제2 버퍼층 상에 형성되는 발광다이오드 제조방법
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제8항에 있어서,상기 실리콘 기판을 제공하는 단계는실리콘 템플레이트 상에 다공성 실리콘 분리층을 형성하는 단계; 및상기 다공성 실리콘 분리층 상에 실리콘 에피층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 마스크는 상기 실리콘 에피층 상에 형성되고,상기 제2 전극을 형성한 후, 상기 다공성 실리콘 분리층을 따라 상기 실리콘 템플레이트를 분리해내는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
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16
삭제
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제1항에 있어서,상기 철부는 피라미드 형태 또는 끝이 잘린 피라미드 형태를 갖는 발광다이오드
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18
제1항에 있어서,상기 요부의 바닥면과 상기 철부의 측벽이 이루는 각은 상기 철부의 하부와 상기 철부의 상부에서 일정한 발광다이오드
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