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크로스바 어레이 구조의 저항변화 메모리에 적용가능한 다층 박막 구조 및 상기 다층 박막 구조를 이용한 저항 변화 메모리(Multi-layer thin film structure used in ReRAM having cross-point array structure and ReRAM using the multi-layer thin film structure)

  • 기술번호 : KST2016020486
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 크로스바 어레이 구조의 저항변화 메모리에 적용가능한 다층 박막 구조 및 상기 다층 박막 구조를 이용한 저항 변화 메모리가 제공된다. 본 발명에 따른 다층 박막 구조는 상부 전극, 중간층 및 하부 전극을 포함하고, 상기 중간층은 페로브스카이트 구조로서 p-타입 층, 강유전체층 및 n-타입 층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 한다.본 발명에 따른 다층 박막 구조를 이용하면 크로스 어레이 구조에서 저 전력 동작이 가능하고 스니크 전류의 양을 최소화할 수 있다. 또한, 본 발명에 따른 다층 박막 구조를 이용하면 전류량에 관계없이 전압만으로 저항변화 특성을 얻어낼 수 있으므로 저전력 동작이 가능하고, 매우 낮은 전류 레벨에서 동작이 가능하므로 전압 강하가 최소화된 쓰기 동작이 가능하다.
Int. CL H01L 45/00 (2006.01)
CPC H01L 45/16(2013.01) H01L 45/16(2013.01)
출원번호/일자 1020150077669 (2015.06.02)
출원인 연세대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0142424 (2016.12.13) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.02)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 연세대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 서대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박형호 대한민국 서울 강남구
2 이홍섭 대한민국 서울특별시 서대문구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김승욱 대한민국 서울특별시 서초구 강남대로 ***, ***호(서초동, 두산베어스텔)(아이피마스터특허법률사무소)
2 이채형 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길 ** (대치동 동구빌딩 *층) Neo국제특허법률사무소

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2015-0529797-87
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.02.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.04.11 수리 (Accepted) 9-1-2016-0017579-19
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.11.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0831715-97
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.01.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0059495-26
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.02.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0164808-65
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.03.17 수리 (Accepted) 1-1-2017-0266470-96
8 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2017.03.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0296278-73
9 보정요구서
Request for Amendment		 2017.03.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0040864-20
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2017.04.18 수리 (Accepted) 1-1-2017-0378515-01
11 지정기간연장 관련 안내서
Notification for Extension of Designated Period		 2017.04.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2017-0053706-29
12 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2017.09.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0658407-15
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
저항변화 메모리에 적용가능한 다층 박막 구조로서,상기 다층 박막 구조는 상부 전극, 중간층 및 하부 전극을 포함하고,상기 중간층은 페로브스카이트 구조로서 p-타입 층, 강유전체층 및 n-타입 층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 다층 박막 구조
2 2
청구항 1에 있어서, 상기 p-타입 층은 R1-xAxMnO3계 재료(단, R은 3가의 희토류 금속, A는 2가의 양이온 알카리 금속, 0 003c# x 003c# 0
3 3
청구항 2에 있어서, 상기 p-type 층은 프라세다이뮴칼슘망가나이트(Pr1-xCaxMnO3), 란타늄스트론튬망가나이트(La1-xSrxMnO3), 란타늄칼슘망가나이트(La1-xCaxMnO3) (단, 0 003c# x 003c# 0
4 4
청구항 1에 있어서, 상기 n-타입 층은 R1-xAxMnO3계 재료(단, R은 3가의 희토류 금속, A는 2가의 양이온 알카리 금속, 0
5 5
청구항 4에 있어서, 상기 n-type 층은 프라세다이뮴칼슘망가나이트(Pr1-xCaxMnO3), 란타늄스트론튬망가나이트(La1-xSrxMnO3), 란타늄칼슘망가나이트(La1-xCaxMnO3), 란타늄바륨망가나이트(La1-xBaxMnO3) (단, 0
6 6
청구항 1에 있어서, 상기 강유전체층은 BaTiO3인 것을 특징으로 하는 다층 박막 구조
7 7
상부 전극, 중간층 및 하부 전극을 포함하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자로서,상기 중간층은 페로브스카이트 구조로서 p-타입 층, 강유전체층 및 n-타입 층이 순차적으로 적층된 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자
8 8
청구항 7에 있어서, 상기 p-타입 층은 R1-xAxMnO3계 재료(단, R은 3가의 희토류 금속, A는 2가의 양이온 알카리 금속, 0 003c# x 003c# 0
9 9
청구항 8에 있어서, 상기 p-type 층은 프라세다이뮴칼슘망가나이트(Pr1-xCaxMnO3), 란타늄스트론튬망가나이트(La1-xSrxMnO3), 란타늄칼슘망가나이트(La1-xCaxMnO3) (단, 0 003c# x 003c# 0
10 10
청구항 7에 있어서, 상기 n-타입 층은 R1-xAxMnO3계 재료(단, R은 3가의 희토류 금속, A는 2가의 양이온 알카리 금속, 0
11 11
청구항 8에 있어서, 상기 n-type 층은 프라세다이뮴칼슘망가나이트(Pr1-xCaxMnO3), 란타늄스트론튬망가나이트(La1-xSrxMnO3), 란타늄칼슘망가나이트(La1-xCaxMnO3), 란타늄바륨망가나이트(La1-xBaxMnO3) (단, 0
12 12
청구항 7에 있어서, 상기 강유전체층은 BaTiO3인 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자
13 13
청구항 7에 있어서, 상기 강유전체층의 두께는 3 nm ~ 10 nm인 것을 특징으로 하는 크로스바 어레이 구조의 저항 변화 메모리 소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.