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유연한 커패시터형 후각 센서에 있어서, 평면 형상의 제 1 기재, 상기 제 1 기재 상에 형성된 제 1 전도성 전극,상기 제 1 전도성 전극 상에 형성된 절연층, 상기 절연층 상에 형성되며, 상기 제 1 전도성 전극과 교차하도록 형성된 제 2 전도성 전극, 상기 제 2 전도성 전극의 상부에 형성된 평면 형상의 제 2 기재, 및 상기 제 1 전도성 전극 및 상기 제 2 전도성 전극에 전압을 인가하는 제어부를 포함하되, 상기 제어부는 제 1 전도성 전극 및 제 2 전도성 전극에 의해 형성되는 커패시턴스를 검출하되,상기 커패시턴스 값에 포함된 검출 대상 물질의 존재 여부에 따라 변화하는 프린지 커패시턴스 성분에 의한 크기 변화에 기초하여, 상기 제 1 기재 또는 제 2 기재에 인접한 검출 대상 물질 및 기설정된 특징 값의 변화를 검출하고,상기 제 1 전도성 전극과 제 2 전도성 전극은 각각 탄소나노튜브 섬유로 형성된 것이며,상기 제 1 기재 및 제 2 기재는 유연한 소재인 것인 커패시터형 후각 센서
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 전도성 전극 또는 상기 제 2 전도성 전극은 전도성 무기 물질로 이루어진 것인, 커패시터형 후각 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재 상에 선 형상의 상기 제 1 전도성 전극과 나란하게 배치된 복수의 전도성 전극들 및상기 제 2 기재의 하부에 선 형상을 가지고, 상기 제 2 전도성 전극과 나란하게 배치된 복수의 전도성 전극들을 더 포함하는, 커패시터형 후각 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 제 1 기재 및 상기 제 2 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane), 에코플렉스(ecoflex), PU(polyurethane), PET(polyethylene phthalate), PE(polyethylene), 유리, 또는 석영 등 기판을 형성할 수 있는 고분자재료 중 하나 이상으로 이루어진 것인, 커패시터형 후각 센서
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제 1 항에 있어서, 상기 제어부는 미리 저장된 쌍극자 모멘트에 따른 커패시턴스 변화 값과 상기 커패시턴스의 변화량을 비교하여, 기체 또는 액체에 존재하는 특정 화학 물질을 검출하는 것인, 커패시터형 후각 센서
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유연한 커패시터형 후각 센서의 제조 방법에 있어서, 평면 형상의 제 1 기재에 제 1 전도성 전극을 형성하는 단계; 평면 형상의 제 2 기재에 제 2 전도성 전극을 형성하는 단계;상기 제 1 전도성 전극 상에 절연층을 형성하는 단계; 및 상기 절연층 상에 상기 제 2 전도성 전극이 접하도록 상기 제 1 기재와 제 2 기재를 결합시키되, 상기 제 1 전도성 전극 및 상기 제 2 전도성 전극이 서로 교차하도록 상기 제 1 기재와 제 2 기재를 결합하는 단계;상기 제 1 전도성 전극 및 상기 제 2 전도성 전극에 전압을 인가하고, 상기 제 1 전도성 전극 및 상기 제 2 전도성 전극에 의해 형성되는 커패시턴스 값을 검출하는 단계; 및상기 검출된 커패시컨스 값에 대응된 검출 대상 물질 및 기설정된 특징 값의 변화를 검출하는 단계를 포함하며,상기 커패시턴스 값에 포함된 검출 대상 물질의 존재 여부에 따라 변화하는 프린지 커패시턴스 성분에 의한 크기 변화에 기초하여, 상기 제 1 기재 또는 제 2 기재에 인접한 검출 대상 물질 및 기설정된 특징 값의 변화를 검출하고,상기 제 1 전도성 전극과 제 2 전도성 전극은 각각 탄소나노튜브 섬유로 형성된 것이며,상기 제 1 기재 및 제 2 기재는 유연한 소재인 것인 커패시터형 후각 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서,상기 제 1 전도성 전극 또는 상기 제 2 전도성 전극은 전도성 무기 물질로 이루어진 것인, 커패시터형 후각 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1 전도성 전극을 형성하는 단계는 상기 제 1 기재 상에, 선 형상인 복수개의 전도성 전극을 일정한 간격으로 서로 나란하게 배치하는 단계를 포함하고, 상기 제 2 전도성 전극을 형성하는 단계는 상기 제 2 기재 상에, 선 형상인 복수개의 전도성 전극을 일정한 간격으로 서로 나란하게 배치하는 단계를 포함하는 것인, 커패시터형 후각 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 제 1 기재 및 상기 제 2 기재는 PDMS(polydimethylsiloxane), 에코플렉스(ecoflex), PU(polyurethane), PET(polyethylene phthalate), PE(polyethylene), 유리, 또는 석영 등 기판을 형성할 수 있는 고분자재료 중 하나 이상을 포함하는 것인, 커패시터형 후각 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 상기 절연층은 PDMS(polydimethylsiloxane), 에코플렉스(ecoflex), PU(polyurethane), 또는 실리콘 계열의 탄성유전체 중 하나 이상을 포함하는 것인, 커패시터형 후각 센서의 제조 방법
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제 7 항에 있어서, 제 1 기재와 제 2 기재를 결합시키는 단계 이후에, 상기 제 1 기재 또는 제 2 기재의 일 측면에 리시버를 부착시키는 단계를 더 포함하는 것인, 커패시터형 후각 센서의 제조 방법
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