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전극에 있어서,전자 통로 역할을 수행하는 집전체;상기 집전체의 표면을 가공하여 형성된 다공성 형상의 3차원 구조체;상기 3차원 구조체 표면의 다공성 영역에 활물질층 슬러리의 제조 없이 직접 삽입되어 상기 전극의 기전 반응을 수행하는 활물질; 및상기 삽입된 활물질 및 상기 3차원 구조체의 상부 표면에 형성되어 상기 활물질의 분리를 방지하는 코팅층;을 포함하는 전극
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제 1항에 있어서,상기 코팅층은 금속, 세라믹 및 고분자 물질 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극
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제 1항에 있어서,상기 코팅층은 전해질과 반응하지 않는 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 전극
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제 1항에 있어서,상기 다공성 형상의 3차원 구조체는, 전도체 및 전도체로 코팅된 비전도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극
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제 1항에 있어서,상기 다공성 형상의 3차원 구조체는 탄소 코팅된 다공성 양극 산화 알루미늄 , TiO2 나노 튜브와 Ti의 일체형 및 가공된 Cu, Al, Ni, SUS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극
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제 1항에 있어서,상기 활물질은 Si, Sn 및 S 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극
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전지에 있어서,양극;전해질; 및음극;을 포함하며,상기 양극 및 음극 중 어느 하나 이상은,전자 통로 역할을 수행하는 집전체;상기 집전체의 표면을 가공하여 형성된 다공성 형상의 3차원 구조체;상기 3차원 구조체 표면의 다공성 영역에 활물질층 슬러리의 제조 없이 직접 삽입되어 전극의 기전 반응을 수행하는 활물질; 및상기 삽입된 활물질 및 상기 3차원 구조체의 상부 표면에 형성되어 상기 활물질의 분리를 방지하는 코팅층;을 포함하는, 전지
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전극을 제조하는 방법에 있어서,전자 통로 역할을 하는 집전체를 가공하여 다공성 형상의 3차원 구조체를 형성하는 단계;전극의 기전 반응을 수행하는 활물질을 활물질층 슬러리의 제조 없이 상기 3차원 구조체 표면의 다공성 영역에 직접 삽입하는 단계; 및상기 활물질의 분리를 방지하는 코팅층을 상기 삽입된 활물질 및 상기 3차원 구조체의 상부 표면에 코팅하는 단계;를 포함하는 전극의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 코팅하는 단계는 금속, 세라믹 및 고분자 물질 중 어느 하나를 이용하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 코팅하는 단계는 전해질과 반응하지 않는 물질을 이용하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 다공성 형상의 3차원 구조체는, 전도체 및 전도체로 코팅된 비전도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 다공성 형상의 3차원 구조체는 탄소 코팅된 다공성 양극 산화 알루미늄, TiO2 나노 튜브와 Ti의 일체형 및 가공된 Cu, Al, Ni, SUS 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극의 제조 방법
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제 8항에 있어서,상기 활물질은 Si, Sn 및 S 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전극의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 코팅층은,도전재 및 바인더를 혼합한 것을 특징으로 하는 전극
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제1항에 있어서,상기 코팅층의 두께는,500nm 이상 1㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전극
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제1항에 있어서,상기 활물질의 평균 입도는,8㎛ 이하인 것을 특징으로 하는 전극
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제7항에 있어서,상기 코팅층은,도전재 및 바인더를 혼합한 것을 특징으로 하는 전지
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제8항에 있어서,상기 코팅하는 단계는,도전재 및 바인더를 혼합하여 코팅층 슬러리를 제조하는 단계; 및상기 활물질의 분리를 방지하는 상기 코팅층 슬러리를 상기 삽입된 활물질 및 상기 3차원 구조체의 상부 표면에 도포하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조 방법
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제18항에 있어서,상기 도포하는 단계는,4000RPM 이하의 스핀 코팅 방식을 이용하는 것을 특징으로 하는 전극의 제조 방법
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