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저마늄(Ge) 기판; 상기 저마늄 기판 상에 형성되고, 상기 저마늄 기판과 쇼트키 접합(Schottky Junction)을 형성하는 금속 박막; 및상기 금속 박막 상에 형성되어 상기 저마늄 기판과 이종접합(hetero junction)을 이루는 투명 전도층을 포함하되,상기 투명 전도층은,상기 저마늄 기판 상에 형성되고, 제1 물질을 포함하는 제1 투명 전도층과,상기 제1 투명 전도층 상에 형성되고, 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제2 투명 전도층을 포함하고,상기 제1 및 제2 물질은 각각 ITO, AZO, 산화주석(tin-oxide), 산화 인듐(In2O3), Pt, Au 또는 IZO(Indium-zinc-oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 포토 디텍터
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제 1항에 있어서,상기 제1 물질은 AZO(Aluminum-zinc-oxide)이고,상기 제2 물질은 ITO(Indium-tin-oxide)인 포토 디텍터
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제 1항에 있어서,상기 제1 투명 전도층의 제1 두께는 상기 제2 투명 전도층의 제2 두께보다 작은 포토 디텍터
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제 1항에 있어서,상기 투명 전도층의 두께는 50nm 내지 1000nm인 포토 디텍터
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제 1항에 있어서,상기 금속 박막의 두께는 상기 투명 전도층의 두께 보다 작은 포토 디텍터
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제 1항에 있어서,상기 금속 박막의 두께는 10nm 이하인 포토 디텍터
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제 1항에 있어서,상기 투명 전도층 상에 전면 전극 패턴을 더 포함하는 포토 디텍터
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제 7항에 있어서,상기 저마늄 기판 아래에 후면 전극층을 더 포함하는 포토 디텍터
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저마늄 기판을 제공하고,상기 저마늄 기판 상에 상기 저마늄 기판과 쇼트키 접합을 형성하는 금속 박막을 형성하고,상기 금속 박막 상에 제1 물질을 포함하는 제1 투명 전도층을 형성하고,상기 제1 투명 전도층 상에 상기 제1 물질과 다른 제2 물질을 포함하는 제2 투명 전도층을 형성하는 것을 포함하되,상기 제1 및 제2 물질은 각각 ITO, AZO, 산화주석(tin-oxide), 산화 인듐(In2O3), Pt, Au 또는 IZO(Indium-zinc-oxide) 중에서 적어도 하나를 포함하는 포토 디텍터 제조 방법
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제 9항에 있어서,상기 제1 투명 전도층의 제1 두께는 상기 제2 투명 전도층의 제2 두께보다 작은 포토 디텍터 제조 방법
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