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대상 이미지에 대한 공간 광 진폭 변조를 수행하는 디바이스 및 그 제조 방법(A device for performing spatial light amplitude modulation and manufacturing method thereof)

  • 기술번호 : KST2016020689
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 대상 이미지에 대한 공간 광 진폭 변조를 수행하는 디바이스 및 그 제조 방법이 개시된다. 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 대상 이미지에 대한 공간 광 진폭 변조를 수행하는 디바이스를 제조하는 방법은, 기판을 마련하는 단계, 상기 대상 이미지를 구성하는 각각의 픽셀의 진폭 값에 대응하여 결정된 흡수 패턴(absorption pattern)에 따라 상기 기판의 적어도 일부를 에칭(etching)하는 단계, 상기 에칭된 부분에 절연 물질을 주입하는 단계를 포함하고, 상기 흡수 패턴은, 상기 디바이스에 입사되는 광을 특정한 비율(certain proportion)에 따라 흡수하기 위한 패턴을 포함할 수 있다.
Int. CL G03H 1/04 (2006.01) G03H 1/22 (2006.01) G03H 1/02 (2006.01)
CPC G03H 1/22(2013.01) G03H 1/22(2013.01) G03H 1/22(2013.01) G03H 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020160028502 (2016.03.09)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0144900 (2016.12.19) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020150081412   |   2015.06.09
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 N
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황치영 대한민국 대전광역시 서구
2 최춘기 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 고려 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2016.03.09 수리 (Accepted) 1-1-2016-0230102-98
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.24 수리 (Accepted) 1-1-2016-1030938-27
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번호 청구항
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대상 이미지에 대한 공간 광 진폭 변조(spatial light amplitude modulation)를 수행하는 디바이스를 제조하는 방법에 있어서,기판을 마련하는 단계;상기 대상 이미지를 구성하는 각각의 픽셀의 진폭 값에 대응하여 결정된 흡수 패턴(absorption pattern)에 따라 상기 기판의 적어도 일부를 에칭(etching)하는 단계; 및상기 에칭된 부분에 절연 물질을 주입하는 단계를 포함하고,상기 흡수 패턴은, 상기 디바이스에 입사되는 광을 특정한 비율(certain proportion)에 따라 흡수하기 위한 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 디바이스에 입사되는 광은, 가시광 영역의 파장을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 적어도 하나의 흡수 패턴은, 상기 디바이스에 입사되는 광의 완전한 흡수(perfect absorption)가 수행되는 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
4 4
제3항에 있어서,상기 완전 흡수하는 패턴은, 상기 디바이스에 입사되는 광에 대한 흡수율이 98% 이상인 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
5 5
제1항에 있어서,상기 흡수 패턴이 형성된 단위 셀의 가로 또는 세로의 길이는, 상기 디바이스에 입사되는 광의 파장보다 작은 것을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 진폭 값은, 상기 각각의 픽셀에 대한 평면상에서의 밝기 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 기판은, 알루미늄(Al), 금(Au) 및 은(Au) 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 절연 물질은, 질화규소(Si3N4) 또는 산화아연(ZnO)을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스의 제조 방법
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대상 이미지에 대한 공간 광 진폭 변조(spatial light amplitude modulation)를 수행하는 디바이스에 있어서,기판;상기 기판상에 형성되고, 상기 대상 이미지를 구성하는 각각의 픽셀의 진폭 값에 기초하여 형성된 흡수 패턴(absorption pattern); 및상기 흡수 패턴을 포함하는 단위 셀을 포함하고, 상기 흡수 패턴은, 상기 디바이스에 입사되는 광을 특정한 비율(certain proportion)에 따라 흡수하기 위한 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스
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제9항에 있어서,상기 디바이스에 입사되는 광은, 가시광 영역의 파장을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스
11 11
제9항에 있어서,상기 흡수 패턴은, 상기 디바이스에 입사되는 광의 완전한 흡수(perfect absorption)가 수행되는 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스
12 12
제11항에 있어서,상기 완전한 흡수가 수행되는 패턴은, 상기 디바이스에 입사되는 광에 대한 흡수율이 98% 이상인 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스
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제9항에 있어서,상기 흡수 패턴이 형성된 단위 셀의 가로 또는 세로의 길이는, 상기 디바이스에 입사되는 광의 파장보다 작은 것을 특징으로 하는, 디바이스
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제9항에 있어서,상기 진폭 값은, 상기 각각의 픽셀에 대한 평면상에서의 밝기 패턴을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스
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제9항에 있어서,상기 기판은, 알루미늄(Al), 금(Au) 및 은(Au) 중 어느 하나를 포함함을 특징으로 하는, 디바이스
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제9항에 있어서,상기 절연 물질은, 질화규소(Si3N4) 또는 산화아연(ZnO)을 포함함을 특징으로 하는, 디바이스
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