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복수의 그래핀 층을 포함하는 그래핀 시트; 및상기 복수의 그래핀 층 사이에 형성된 실리콘-함유 층을 포함하는, 그래핀-실리콘 복합체로서,상기 복수의 그래핀 층은 자기조립 단분자층 (self assembled monolayer, SAM)에 의하여 표면 개질된 것이고,상기 그래핀-실리콘 복합체는 상기 그래핀 시트와 상기 실리콘-함유 층 사이에 빈 공간을 가지고,상기 빈 공간은, 상기 자기조립 단분자층에 의해 조절되어 상기 실리콘-함유 층의 팽창 공간을 확보하는 것인,그래핀-실리콘 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 복수의 그래핀 층은 그래핀, 그래핀 옥사이드, 환원 그래핀 옥사이드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 포함하는 것인, 그래핀-실리콘 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 자기조립 단분자층에 의해여 표면 개질되는 구성은, 상기 복수의 그래핀 층의 표면에 3-아미노-프로필트리에톡시실란, 3-아미노-프로필트리메톡시실란, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택된 것을 화학적으로 부착시키는 것인, 그래핀-실리콘 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 실리콘-함유 층은 박막 또는 입자의 형태의 실리콘-함유 물질을 포함하는 것인, 그래핀-실리콘 복합체
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제 5 항에 있어서,상기 실리콘-함유 물질은 테트라 에틸 오르소실리케이트, 트리에틸 메틸 오르소실리케이트, 디에틸 디메틸 오르소실리케이트, 에틸 트리에틸 오르소실리케이트, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인, 그래핀-실리콘 복합체
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제 1 항에 있어서,상기 그래핀-실리콘 복합체는 유연성 및 3 차원 구조를 가지는 것인, 그래핀-실리콘 복합체
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제 1 항, 및 제 3 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 따른 그래핀-실리콘 복합체를 함유하는 전극을 포함하는, 전기소자
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제 8 항에 있어서,상기 전기소자는 이차 전지 또는 커패시터인 것인, 전기소자
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그래핀 옥사이드를 자기조립 단분자층에 의하여 표면 개질시키는 단계;상기 표면 개질된 그래핀 옥사이드 및 실리콘-함유 물질을 혼합하여 그래핀-실리콘 혼합물을 수득하는 단계;상기 그래핀-실리콘 혼합물을 분산시키는 단계;상기 분산된 그래핀-실리콘 혼합물을 용매와 혼합하여 필터링하는 단계; 및상기 필터링된 그래핀-실리콘 혼합물을 열처리하여 환원시키는 단계를 포함하는, 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법으로서,상기 그래핀-실리콘 복합체는, 복수의 그래핀 시트 사이에 형성된 실리콘-함유 층을 포함하며, 상기 그래핀 시트와 상기 실리콘-함유 층 사이에 빈 공간을 가지고,상기 빈 공간은, 상기 자기조립 단분자층에 의해 조절되어 상기 실리콘-함유 층의 팽창 공간을 확보하는 것인,그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 그래핀 옥사이드를 자기조립 단분자층에 의하여 표면 개질시키는 단계는, 상기 그래핀 옥사이드의 표면에 3-아미노-프로필트리에톡시실란, 3-아미노-프로필트리메톡시실란, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 화학적으로 부착시키는 것인, 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 필터링은 감압 필터를 이용하여 수행되는 것인, 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 용매는 n-메틸 피롤리돈, 디메틸포름아미드, 및 이들의 조합들로 이루어진 군으로부터 선택되는 물질을 포함하는 것인, 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 필터링하는 단계 이후, 상기 필터링된 그래핀-실리콘 혼합물을 건조시키는 단계를 포함하는, 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
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제 10 항에 있어서,상기 열처리는 800℃ 내지 2,000℃의 범위의 온도에서 수행되는 것인, 그래핀-실리콘 복합체의 제조 방법
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