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성막을 위한 피코팅물(S)이 홀더(11)에 파지된 상태로 내부에 수용되는 성막 챔버(10);페럴린 다이머 분말을 가열에 의해 기화시켜 기체 상의 페럴린 모노머로 생성하여 상기 피코팅물(S)에 페럴린 성막을 수행하도록 상기 성막 챔버(10)의 일단에 연결되는 페럴린 성막부(20); 및상기 피코팅물(S)에 금속화합물을 성막하도록 상기 성막 챔버(10)의 타단에 연결되는 금속화합물 성막부(30);를 포함하고,상기 페럴린 성막부(20)에서 발생되는 페럴린 모노머에 의해 상기 금속화합물 성막부(30)에 대한 오염이 방지되도록 상기 금속화합물 성막부(30)를 차폐시키는 차폐부(40)를 더 구비하고,상기 홀더(11)는 상기 페럴린 성막부(20) 또는 상기 금속화합물 성막부(30)를 향하여 상기 피코팅물(S)을 회동시키는 것을 특징으로 하는 페럴린과 금속화합물의 공동 성막 장치
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제1항에 있어서,상기 차폐부(40)는, 상기 성막 챔버(10)의 타단에 연결되어 내부에 상기 금속화합물 성막부(30)가 수용되는 수용 챔버(41)와,상기 성막 챔버(10)와 수용 챔버(41) 간을 선택적으로 개폐하도록 상기 수용 챔버(41)의 입구에 설치되는 밸브(42)와,상기 수용 챔버(41)에 수용된 금속화합물 성막부(30)가 상기 성막 챔버(10) 내부로 진입되도록 이동시키는 이동수단(43)을 포함하는 것을 특징으로 하는 페럴린과 금속화합물의 공동 성막 장치
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제1항에 있어서,상기 차폐부(40)는, -50℃ 이하의 저온에 의해 페럴린 모노머를 트랩(trap)하도록 상기 금속화합물 성막부(30)에 인접한 상기 성막 챔버(10) 내벽에 설치되는 저온트랩블록(45)인 것을 특징으로 하는 페럴린과 금속화합물의 공동 성막 장치
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제1항에 있어서,상기 차폐부(40)는, 상기 금속화합물 성막부(30) 또는 상기 금속화합물 성막부(30)에 인접한 공간을 60℃ 이상의 고온으로 유지하여 상기 금속화합물 성막부(30)에 대한 페럴린의 성막을 방지하도록 상기 금속화합물 성막부(30)에 인접하여 설치되는 고온생성장치(47)인 것을 특징으로 하는 페럴린과 금속화합물의 공동 성막 장치
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제1항에 있어서,상기 금속화합물 성막부(30)에 의해 피코팅물(S)의 성막시에 상기 페럴린 성막부(20)로부터 발생되는 페럴린 모노머가 상기 성막 챔버(10)로 유입되는 것을 차단하도록 상기 페럴린 성막부(20)와 성막 챔버(10) 사이에 설치되는 페럴린 셔터(21)와,상기 페럴린 셔터(21)에 의해 상기 성막 챔버(10)로의 유입이 제한된 페럴린 모노머를 배출하기 위한 바이패스 채널(25)이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 페럴린과 금속화합물의 공동 성막 장치
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제1항에 있어서,상기 성막 챔버(10) 내에는, 상기 피코팅물(S)을 -50℃ 이하의 저온으로 유지하여 상기 피코팅물(S)에 페럴린의 성막 속도 향상을 위하여 상기 피코팅물(S)의 후단에 연결되는 저온온도제어모듈이 더 구비되는 것을 특징으로 하는 페럴린과 금속화합물의 공동 성막 장치
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제1항에 있어서,상기 성막 챔버(10) 내에는, 상기 페럴린 성막부(20)에서 상기 성막 챔버(10)로 유입되는 페럴린 모노머의 상기 피코팅물(S)로의 기류 형성을 위한 가이더(guider, 15)가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 페럴린과 금속화합물의 공동 성막 장치
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