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탑 전극(top electrode)과 하부 전극(bottom electrode) 사이에 연장되어 기설정된 전압을 기반으로 전압 구간별 하이브리드 되는 저항성 메모리와,상기 저항성 메모리와 단일 전도성 로우(row) 콘택을 통해 연결되어 해당 로우 라인에 릴레이된 복수의 저항성 메모리를 리드하는 저항 레이어(resistive layer)를 포함하고,상기 저항 레이어별 동작 전압(operating voltage) 콘택이 로우 라인별로 연결되어 인가되는 전압에 따라 상기 저항성 메모리의 상태가 제어됨을 특징으로 하며, 상기 저항 레이어는,poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate)(PEDOT:PSS)와 실버 나노-파티클스(silver nano-particles)를 배합하여 제작되어 유연 저항임을 특징으로 하고, 상기 저항성 메모리는,[Ru(bpy)3]2+ 2, poly(methy methacrylate), 아세토니트릴(acetonitrile) 및 N-N Dimethylformalehye를 배합하여 제작됨을 특징으로 하는 멤리스터 기반 하이브리드 소자 어레이
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제1항에 있어서, 상기 저항성 메모리는,저항과 연계된 전압 분배기 구조를 기반으로 기설정된 전압 이하의 전압 대역에서는 저항값의 크기에 따라 전압 출력 1 혹은 0이 저장됨을 특징으로 하는 멤리스터 기반 하이브리드 소자 어레이
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제1항에 있어서, 상기 저항성 메모리는,기설정된 전압 이상의 전압 대역에서는 LED(Light Emitting Device)에 대응되게 발광함을 특징으로 하는 멤리스터 기반 하이브리드 소자 어레이
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제1항에 있어서, 상기 저항성 메모리와 저항 레이어는 병렬로 각각 연결되어 메모리 어레이(memristive ROM)로 제작되고, 상기 제작된 메모리 어레이는 Electro Hydrodynamic(EHD) 인쇄전자 기법으로 제작됨을 특징으로 하는 멤리스터 기반 하이브리드 소자 어레이
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