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일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법 및 이를 이용한 일체형 디지털 엑스선 이미지 센서(Method of fabricating integrated digital x-ray image sensor and integrated digital x-ray image sensor using the same)

  • 기술번호 : KST2016020721
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 기판의 적어도 일부에 복수개의 포토다이오드 유닛(photodiode unit)을 형성하는 단계; 상기 복수개의 포토다이오드 유닛과 대응되도록 상기 제 1 면 상에 몰드(mold)를 형성하는 단계; 상기 몰드의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 식각함으로써 요철(凹凸)을 가지는 마이크로구조체(micro structure)를 형성하는 단계; 및 엑스선(X-ray)을 상기 포토다이오드 유닛에서 감지할 수 있는 파장대역으로 변환시킬 수 있는 신틸레이터(scintillator)를 상기 마이크로구조체의 요부(凹部) 내에 형성하는 단계;를 포함하거나, 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 기판의 적어도 일부에 복수개의 포토다이오드 유닛(photodiode unit)을 형성하는 단계; 상기 복수개의 포토다이오드 유닛과 대응되도록 상기 제 2 면의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 식각함으로써 요철(凹凸)을 가지는 마이크로구조체(micro structure)를 형성하는 단계; 및 엑스선(X-ray)을 상기 포토다이오드 유닛에서 감지할 수 있는 파장대역으로 변환시킬 수 있는 신틸레이터(scintillator)를 상기 마이크로구조체의 요부(凹部) 내에 형성하는 단계;를 포함하는, 일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법 및 이를 이용한 일체형 디지털 엑스선 이미지 센서를 제공한다.
Int. CL H01L 27/146 (2006.01)
CPC H01L 27/14658(2013.01) H01L 27/14658(2013.01)
출원번호/일자 1020150081095 (2015.06.09)
출원인 국민대학교산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0144667 (2016.12.19) 문서열기
공고번호/일자 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.06.09)
심사청구항수 15

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안동환 대한민국 경기도 용인시 기흥구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김남식 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
2 이인행 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)
3 김한 대한민국 서울특별시 서초구 남부순환로***길 *-*, *층 (양재동, 가람빌딩)(율민국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 국민대학교산학협력단 서울특별시 성북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2015.06.09 수리 (Accepted) 1-1-2015-0553407-15
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.03.14 수리 (Accepted) 4-1-2016-5032192-73
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2016.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2016.06.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-6-2016-0077980-61
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2016.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0479407-71
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2016.09.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0856142-18
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2016.09.30 수리 (Accepted) 1-1-2016-0953653-35
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2016.09.30 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0953652-90
9 등록결정서
Decision to grant		 2016.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0769309-74
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 면 및 제 2 면을 갖는 기판의 적어도 일부에 복수개의 포토다이오드 유닛(photodiode unit)을 형성하는 단계;상기 기판과 일체형으로 형성되며, 상기 복수개의 포토다이오드 유닛과 대응되도록 상기 제 1 면 상에 몰드(mold)를 형성하는 단계;상기 몰드의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 식각함으로써 요철(凹凸)을 가지는 마이크로구조체(micro structure)를 형성하는 단계; 상기 마이크로구조체의 철부(凸部) 측벽에만 격벽을 형성하는 단계; 및엑스선(X-ray)을 상기 포토다이오드 유닛에서 감지할 수 있는 파장대역으로 변환시킬 수 있는 신틸레이터(scintillator)를 상기 마이크로구조체의 요부(凹部) 내에 형성하는 단계;를 포함하고,상기 마이크로구조체의 철부 측벽에만 격벽을 형성하는 단계는,상기 마이크로구조체의 요부와 상기 마이크로구조체의 철부에 격벽을 형성하고, 상기 마이크로구조체의 적어도 일부를 제거하여 상기 몰드의 상부면과 상기 마이크로구조체 상의 요부를 노출시켜, 상기 마이크로구조체의 철부 측벽에만 상기 격벽이 형성되는 단계를 포함하며,상기 몰드의 상부면과 상기 신틸레이터의 상면은 레벨(level)이 동일한,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법
2 2
제 1 면 및 제 2 면을 갖는 기판의 적어도 일부에 복수개의 포토다이오드 유닛(photodiode unit)을 형성하는 단계;상기 복수개의 포토다이오드 유닛과 대응되도록 상기 제 2 면의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 식각함으로써 요철(凹凸)을 가지는 마이크로구조체(micro structure)를 형성하는 단계; 상기 마이크로구조체의 철부(凸部) 측벽에만 격벽을 형성하는 단계; 및엑스선(X-ray)을 상기 포토다이오드 유닛에서 감지할 수 있는 파장대역으로 변환시킬 수 있는 신틸레이터(scintillator)를 상기 마이크로구조체의 요부(凹部) 내에 형성하는 단계;를 포함하고,상기 마이크로구조체의 철부 측벽에만 격벽을 형성하는 단계는,상기 마이크로구조체의 요부와 상기 마이크로구조체의 철부에 격벽을 형성하고, 상기 마이크로구조체의 적어도 일부를 제거하여 상기 제 2 면과 상기 마이크로구조체 상의 요부를 노출시켜, 상기 마이크로구조체의 철부 측벽에만 상기 격벽이 형성되는 단계를 포함하며,상기 제 2 면과 상기 신틸레이터의 상면은 레벨(level)이 동일한,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 복수개의 포토다이오드 유닛을 형성하는 단계 이후에, 상기 제 1 면 상에 배선층을 형성하는 단계를 더 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 마이크로구조체를 형성하는 단계는 포토리소그라피(photolithography) 방법을 이용함으로써 상기 몰드의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 선택적으로 식각하여 복수개의 홈을 형성하는 단계를 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법
5 5
제 2 항에 있어서,상기 마이크로구조체를 형성하는 단계는 포토리소그라피(photolithography) 방법을 이용함으로써 상기 제 2 면의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 선택적으로 식각하여 복수개의 홈을 형성하는 단계를 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 격벽을 형성하는 단계는 에치백(etch-back) 공정을 사용함으로써 상기 마이크로구조체 상의 요부를 노출시켜 상기 마이크로구조체의 철부 측벽에만 형성하는 단계를 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서의 제조방법
7 7
제 1 면 및 제 2 면을 갖는 기판의 적어도 일부에 형성된 복수개의 포토다이오드 유닛(photodiode unit);상기 복수개의 포토다이오드 유닛과 대응되도록 상기 제 1 면 상에 일체형으로 형성된 몰드의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 식각함으로써 형성된 요철(凹凸)을 가지는 마이크로구조체; 상기 마이크로구조체의 철부(凸部) 측벽에만 형성된 격벽; 및엑스선을 상기 포토다이오드 유닛에서 감지할 수 있는 파장대역으로 변환시킬 수 있으며, 상기 마이크로구조체의 요부(凹部) 내에 형성된 신틸레이터(scintillator);를 포함하고,상기 몰드는 상기 기판과 일체형으로 형성되며,상기 격벽은, 상기 마이크로구조체의 적어도 일부를 제거하여 상기 몰드의 상부면과 상기 마이크로구조체 상의 요부를 노출시켜, 상기 마이크로구조체의 철부 측벽에만 형성되고,상기 몰드의 상부면과 상기 신틸레이터의 상면은 레벨(level)이 동일한,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
8 8
제 1 면 및 제 2 면을 갖는 기판의 적어도 일부에 형성된 복수개의 포토다이오드 유닛(photodiode unit);상기 복수개의 포토다이오드 유닛과 대응되도록 상기 제 2 면의 적어도 일부를 소정의 깊이만큼 식각함으로써 형성된 요철(凹凸)을 가지는 마이크로구조체;상기 마이크로구조체의 철부(凸部) 측벽에만 형성된 격벽; 및엑스선을 상기 포토다이오드 유닛에서 감지할 수 있는 파장대역으로 변환시킬 수 있으며, 상기 마이크로구조체의 요부(凹部) 내에 형성된 신틸레이터(scintillator);를 포함하고,상기 격벽은, 상기 마이크로구조체의 적어도 일부를 제거하여 상기 제 2 면과 상기 마이크로구조체 상의 요부를 노출시켜, 상기 마이크로구조체의 철부 측벽에만 형성되고,상기 제 2 면과 상기 신틸레이터의 상면은 레벨(level)이 동일한,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
9 9
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 제 1 면 상에 상기 복수개의 포토다이오드 유닛을 제어할 수 있도록 형성된 배선층을 더 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
10 10
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 마이크로구조체의 요부는 적어도 상기 복수개의 포토다이오드 유닛에 대응하는 수의 홈을 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
11 11
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 복수개의 포토다이오드 유닛에 대응하는 상기 마이크로구조체의 요부는 상기 복수개의 포토다이오드 유닛에 정렬되어 상기 복수개의 포토다이오드 유닛 상에 형성된,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
12 12
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 마이크로구조체의 요부 크기는 상기 복수개의 포토다이오드 유닛의 크기와 일치하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
13 13
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,광원으로부터 상기 복수개의 포토다이오드 유닛 중 최단 거리에 있는 포토다이오드 유닛으로 광이 포커싱되도록 상기 마이크로구조체의 요부는 상기 기판에 수직하게 신장된,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
14 14
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 신틸레이터는 서로 랜덤(random)하게 이격되어 배치된 복수개의 형광체(phosphor) 입자 또는 분말을 더 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
15 15
제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 신틸레이터는 상기 요부 내를 균일하게 채울 수 있는 연속적인 형태의 물질, 주상형 성장(columnar growth) 된 형태의 박막 및 입자 또는 분말의 접합된 형태의 물질 중 어느 하나의 형태를 포함하는,일체형 디지털 엑스선 이미지 센서
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1 US20160363673 US 미국 FAMILY

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1 미래창조과학부 국민대학교산학협력단 해외우수연구기관 유치사업 국민대-텍사스주립대 국제 미래재료혁신 연구소