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강유전체를 이용한 태양전지과 그 제조방법 및 이를 이용한 태양전지 시스템(SOLAR CELL AND SYSTEM THEREOF USING FERROELECTRIC MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME)

  • 기술번호 : KST2016020723
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 강유전체를 이용하여 광효율을 개선시킬 수 있도록 구성된 태양전지와 이를 이용한 태양전지 시스템에 관한 것이다. 본 발명의 일례와 관련된 강유전체를 이용한 태양전지는, 상부전극; 상기 상부전극과 이격되고, 상기 상부전극의 하부에 배치되는 중간전극; 상기 중간전극과 이격되고, 상기 중간전극의 하부에 배치되는 하부전극; 상기 상부전극 및 상기 중간전극 사이에 형성되는 제 1 반도체층; 상기 중간전극 및 상기 하부전극 사이에 형성되는 제 2 반도체층; 및 상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 중 적어도 하나와 접하는 강유전체층;을 포함할 수 있다.
Int. CL H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/0256 (2006.01) H01L 31/054 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2006.01)
CPC H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01) H01L 31/04(2013.01)
출원번호/일자 1020150061497 (2015.04.30)
출원인 서울시립대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1687907-0000 (2016.12.13)
공개번호/일자 10-2016-0136479 (2016.11.30) 문서열기
공고번호/일자 (20161219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2015.04.30)
심사청구항수 26

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박병은 대한민국 서울특별시 양천구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 아이퍼스 대한민국 서울특별시 강남구 삼성로**길*, *층(대치동 삼성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서울시립대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 동대문구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.04.30 수리 (Accepted) 1-1-2015-0423852-48
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2015.11.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2015.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2015-0076360-00
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.02.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0090738-11
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2016-0315374-15
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2016.05.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0420862-14
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.06.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-0533671-17
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.06.02 수리 (Accepted) 1-1-2016-0533682-19
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2016.09.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0671449-37
10 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)
2016.10.14 수리 (Accepted) 7-1-2016-0058505-88
11 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2016.11.21 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2016-1133597-99
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.11.21 수리 (Accepted) 1-1-2016-1133596-43
13 등록결정서
Decision to Grant Registration
2016.12.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0888095-01
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.17 수리 (Accepted) 4-1-2017-5009116-18
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.09.10 수리 (Accepted) 4-1-2019-5191631-69
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
상부전극;상기 상부전극과 이격되고, 상기 상부전극의 하부에 배치되는 중간전극;상기 중간전극과 이격되고, 상기 중간전극의 하부에 배치되는 하부전극;상기 상부전극 및 상기 중간전극 사이에 형성되는 제 1 반도체층; 상기 중간전극 및 상기 하부전극 사이에 형성되는 제 2 반도체층; 및상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 중 적어도 하나와 접하는 강유전체층;을 포함하고,상기 제 1 반도체층은,상기 제 1 반도체층의 상부에 배치되고, 빛에 의하여 전자가 방출되는 제 1 도너층;상기 제 1 반도체층의 하부에 배치되고, 상기 제 1 도너층에서 방출된 전자를 수용하는 제 1 억셉터층; 및,상기 제 1 도너층 및 상기 제 1 억셉터층 사이에 배치된 제 1 광흡수층;을 더 포함하며,상기 제 2 반도체층은,상기 제 2 반도체층의 하부에 배치되고, 빛에 의하여 전자가 방출되는 제 2 도너층;상기 제 2 반도체층의 상부에 배치되고, 상기 제 2 도너층에서 방출된 전자를 수용하는 제 2 억셉터층; 및,상기 제 2 도너층 및 상기 제 2 억셉터층 사이에 배치된 제 2 광흡수층;을 더 포함하고,상기 제 1 광흡수층의 광흡수도는 상기 제 2 광흡수층의 광흡수도와 서로 상이하며,상기 제 1 반도체층의 내측에 배치되는 제 3 강유전체층과 상기 제 2 반도체층의 내측에 배치되는 제 4 강유전체층중 적어도 하나 이상을 더 포함하여,상기 제 3 강유전체층의 상면은 상기 상부전극의 하면에 접하고, 상기 제 3 강유전체층의 하면은 상기 중간전극의 상면에 접하며,상기 제 4 강유전체층의 상면은 상기 상부전극의 하면에 접하고, 상기 제 4 강유전체층의 하면은 상기 중간전극의 상면에 접하며,상기 상부전극은 복수이고,상기 복수의 상부전극은 소정 간격으로 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 강유전체층은,상기 중간전극의 상면에 배치되는 제 1 강유전체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
8 8
제 7항에 있어서,상기 제 1 강유전체층은 복수이고,상기 복수의 제 1 강유전체층은 소정 간격으로 이격되어 상기 중간전극의 상면에 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
9 9
제 7항에 있어서,상기 제 1 강유전체층은,상기 중간전극의 상면에 종방향으로 소정 간격 이격되어 평행하게 배치된 구조와 상기 중간전극의 상면에 횡방향으로 소정 간격 이격되어 평행하게 배치된 구조가 결합된 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
10 10
제 8항 또는 제 9항에 있어서,상기 제 1 억셉터층은,상기 제 1 강유전체층이 서로 이격된 부분에서 상기 중간전극의 상면과 접하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
11 11
제 1항에 있어서,상기 강유전체층은,상기 중간전극의 하면에 배치되는 제 2 강유전체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
12 12
제 11항에 있어서,상기 제 2 강유전체층은 복수이고,상기 복수의 제 2 강유전체층은 소정 간격으로 이격되어 상기 중간전극의 하면에 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
13 13
제 11항에 있어서,상기 제 2 강유전체층은,상기 중간전극의 하면에 종방향으로 소정 간격 이격되어 평행하게 배치된 구조와 상기 중간전극의 하면에 횡방향으로 소정 간격 이격되어 평행하게 배치된 구조가 결합된 형태로 이루어지는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
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제 12항 또는 제 13항에 있어서,상기 제 2 억셉터층은,상기 제 2 강유전체층이 서로 이격된 부분에서 상기 중간전극의 하면과 접하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 중간전극은 복수이고,상기 복수의 중간전극은 소정 간격으로 평행하게 배치되고, 상기 복수의 상부전극과 서로 교차하는 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
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제 20항에 있어서,상기 하부전극은 복수이고,상기 복수의 하부전극은 소정 간격으로 평행하게 배치되고, 상기 복수의 중간전극과 서로 교차하는 방향으로 배치되는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지
22 22
외부에서 조사되는 빛을 이용하여 전기를 생성하는 복수의 태양전지 셀;상기 복수의 태양전지 셀이 장착된 하우징 모듈; 및상부는 상기 하우징 모듈의 측면에 설치되고, 하부는 지면에 고정되어 상기 하우징 모듈을 지지하는 리프팅 부재;를 포함하되,상기 복수의 태양전지 셀 각각은,상부전극;상기 상부전극과 이격되고, 상기 상부전극의 하부에 배치되는 중간전극;상기 중간전극과 이격되고, 상기 중간전극의 하부에 배치되는 하부전극;상기 상부전극 및 상기 중간전극 사이에 형성되는 제 1 반도체층; 상기 중간전극 및 상기 하부전극 사이에 형성되는 제 2 반도체층; 및상기 제 1 반도체층 및 상기 제 2 반도체층 중 적어도 하나와 접하는 강유전체층;을 더 포함하고,상기 복수의 태양전지 셀 각각은 상기 상부전극이 상기 하우징 모듈의 상부에 위치되고, 상기 하부전극이 상기 하우징 모듈의 하부에 위치되도록 상기 하우징 모듈에 장착되고,상기 제 1 반도체층은,상기 제 1 반도체층의 상부에 배치되고, 빛에 의하여 전자가 방출되는 제 1 도너층;상기 제 1 반도체층의 하부에 배치되고, 상기 제 1 도너층에서 방출된 전자를 수용하는 제 1 억셉터층; 및, 상기 제 1 도너층 및 상기 제 1 억셉터층 사이에 배치된 제 1 광흡수층;을 더 포함하며,상기 제 2 반도체층은,상기 제 2 반도체층의 하부에 배치되고, 빛에 의하여 전자가 방출되는 제 2 도너층;상기 제 2 반도체층의 상부에 배치되고, 상기 제 2 도너층에서 방출된 전자를 수용하는 제 2 억셉터층; 및,상기 제 2 도너층 및 상기 제 2 억셉터층 사이에 배치된 제 2 광흡수층;을 더 포함하고,상기 제 1 광흡수층의 광흡수도는 상기 제 2 광흡수층의 광흡수도와 서로 상이하며,상기 제 1 반도체층의 내측에 배치되는 제 3 강유전체층과 상기 제 2 반도체층의 내측에 배치되는 제 4 강유전체층중 적어도 하나 이상을 더 포함하여,상기 제 3 강유전체층의 상면은 상기 상부전극의 하면에 접하고, 상기 제 3 강유전체층의 하면은 상기 중간전극의 상면에 접하며,상기 제 4 강유전체층의 상면은 상기 상부전극의 하면에 접하고, 상기 제 4 강유전체층의 하면은 상기 중간전극의 상면에 접하며,상기 상부전극은 복수이고,상기 복수의 상부전극은 소정 간격으로 평행하게 배치되는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
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제 22항에 있어서,상기 제 1 광흡수층의 광흡수도는 상기 제 2 광흡수층의 광흡수도와 서로 상이한 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
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제 22항에 있어서,상기 강유전체층은,상기 중간전극의 상면에 배치되는 제 1 강유전체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
29 29
제 22항에 있어서,상기 강유전체층은,상기 중간전극의 하면에 배치되는 제 2 강유전체층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
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제 22항에 있어서,상기 하우징 모듈의 기울기를 조절하기 위하여 상기 리프팅 부재의 높이를 조절하는 틸팅 제어 모듈;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
33 33
제 32항에 있어서,상기 리프팅 부재는,상기 하우징 모듈의 상부 측면을 지지하는 제 1 리프팅 부재; 및상기 하우징 모듈의 하부 측면을 지지하는 제 2 리프팅 부재;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
34 34
제 33항에 있어서,상기 리프팅 부재는,상기 제 1 리프팅 부재의 상부와 상기 하우징 모듈의 상부 측면 사이에 개재되는 제 1 회동편; 및상기 제 2 리프팅 부재의 상부와 상기 하우징 모듈의 하부 측면 사이에 개재되는 제 2 회동편;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
35 35
제 34항에 있어서,상기 틸팅 제어 모듈에 의하여 상기 제 1 리프팅 부재 및 상기 제 2 리프팅 부재 중 하나의 높이가 조절되고,상기 높이 조절에 대응하여 상기 제 1 회동편 및 상기 제 2 회동편 중 적어도 하나가 소정의 각도로 회전되며, 상기 제 1 회동편 및 상기 제 2 회동편 중 적어도 하나의 회전에 따라 상기 하우징 모듈의 기울기가 조절되는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
36 36
제 22항에 있어서,외부에서 조사되는 빛이 상기 하우징 모듈 방향으로 진행되도록 유도하는 반사판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
37 37
제 36항에 있어서,상기 반사판은,상기 하우징 모듈의 상부와 소정 거리 이격되어 설치되고, 외부에서 조사되는 빛이 상기 하우징 모듈의 상부를 향하여 반사되도록 곡면으로 형성된 제 1 반사판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
38 38
제 36항에 있어서,상기 반사판은,상기 하우징 모듈의 하부와 소정 거리 이격되어 설치되고, 외부에서 조사되는 빛이 상기 하우징 모듈의 하부를 향하여 반사되도록 곡면으로 형성된 제 2 반사판;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
39 39
제 36항에 있어서,상기 반사판에서 조사되는 빛과 상기 하우징 모듈이 이루는 각도를 조절하기 위하여 상기 반사판의 설치 각도를 조절하는 반사판 제어 모듈;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
40 40
제 39항에 있어서,외부에서 조사되는 빛의 입사각을 감지하는 센싱부;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
41 41
제 40항에 있어서,상기 센싱부는 상기 감지 결과를 이용하여 반사판 제어 신호를 생성하여 상기 반사판 제어 모듈로 전송하고,상기 반사판 제어 모듈은 상기 반사판 제어 신호에 기초하여 상기 반사판의 설치 각도를 조절하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
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제 41항에 있어서,상기 반사판 제어 신호는 상기 하우징 모듈 방향으로 진행되는 빛의 양이 증가하도록 상기 반사판 제어 모듈을 제어하는 것을 특징으로 하는, 강유전체를 이용한 태양전지 시스템
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.