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고분자 패턴 구조체가 형성된 기판을 준비하는 단계(단계 1);상기 단계 1의 고분자 패턴 구조체 상부를 덮는 마스크를 형성하는 단계(단계 2);상기 단계 2에서 마스크로 덮인 고분자 패턴 구조체 하부 측벽을 식각하여 공동(cavity)을 형성하는 단계(단계 3);상기 단계 3까지 수행된 기판 상부에 금속 산화물을 도포하는 단계(단계 4); 및상기 고분자 패턴 구조체를 제거하는 단계(단계 5);를 포함하는 금속 산화물 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1의 고분자 패턴 구조체는 아크릴계 고분자, 메타크릴계 고분자, 이미드계 고분자, 아마이드계 고분자, 페놀계 고분자, 아릴에테르계 고분자, 스티렌계 고분자, 불소계 고분자 및 비닐알콜계 고분자로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 고분자 수지를 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 1에서 고분자 패턴 구조체의 형성은 나노임프린트법, 미세 인쇄 접촉 기술, 포토리소그래피법, 잉크젯 프린팅 및 디스펜싱로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 마스크 형성은 경사 코팅법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 3의 식각은 이온 빔 밀링(Ion Beam Milling), RIE(Reactive Ion Etching), MERIE(Magnetically Enhanced Reactive Ion Etching), CDE(Chemical Downstream Etching), ECR(Electron Cyclotron Resonance), TCP(Transformer Coupled Plasma) 및 산소 플라즈마 식각법으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 패턴의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 단계 4의 금속 산화물은 인듐(In), 갈륨(Ga), 아연(Zn), 주석(Sn) 및 하프늄(Hf)으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1 종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 패턴의 제조방법
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기판 상부에 절연층을 형성하는 단계(단계 1);상기 단계 1에서 형성된 절연층 상부에 제1항의 제조방법으로 금속 산화물 패턴을 제조하여 반도체 산화물 층을 형성하는 단계(단계 2); 및상기 단계 2에서 형성된 반도체 산화물 층 상부에 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계(단계 3);을 포함하는 박막 트랜지스터의 제조방법
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