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A-B-A-C-A 원소가 5개층으로 적층되는 단위셀과, 상기 단위셀 말단의 A 원소와 다른 단위셀 말단의 A 원소는 상호간에 반데르 발스(van der waals) 결합에 의해 반복 적층되는 구조를 가진 Te 계 열전소재에 있어서,상기 반복 적층되는 A 원소와 인접한 A 원소 사이에 도핑재인 침입형 D 원소가 침입 위치되어 상기 단위셀의 적층결함이 발생하며, 상기 단위셀과는 다른 복합결정구조가 형성됨과 동시에 쌍정(twin) 및 메탈 레이어(metal layer)가 형성됨을 특징으로 하는 침입형 도핑재 첨가에 의한 복합결정구조가 형성된 Te계 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 쌍정은 D 원소를 기준으로 일측에는 A-B-A-C-A 구조가 연결되고, 타측에는 A-B-A 구조 또는 A-C-A 구조가 연결되어 A-B-A-C-A/D/A-B-A 구조 또는 A-B-A-C-A/D/A-C-A 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 침입형 도핑재 첨가에 의한 복합결정구조가 형성된 Te계 열전소재
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제 1항에 있어서,복수의 홀(hole)을 포함하는 다공성 상기 메탈 레이어는 B 원소 또는 C 원소가 각각 연속으로 적층되거나 또는 교차로 적층된 구조를 갖는 것을 특징으로 하는 침입형 도핑재 첨가에 의한 복합결정구조가 형성된 Te계 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 Te계 열전소재는 Bi0
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제 1항에 있어서,상기 도핑재는 나트륨(Na), 칼륨(K), 아연(Zn), 알루미늄(Al), 티타늄(Ti), 바나듐(V), 크롬(Cr), 망가니즈(Mn), 철(Fe), 코발트(Co), 니켈(Ni), 구리(Cu), 팔라듐(Pd), 은(Ag), 백금(Pt), 금(Au), 수은(Hg) 및 이의 혼합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 침입형 도핑재 첨가에 의한 복합결정구조가 형성된 Te계 열전소재
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제 1항에 있어서,상기 도핑재는 상기 Te계 열전소재 100중량부에 대해 0
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