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하기 화학식 2-1로 표시되는 전자 도너-억셉터가 도입된 저분자 유기물
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하기 화학식 3-1로 표시되는 전자 도너-억셉터가 도입된 저분자 유기물
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하기 화학식 4-1로 표시되는 전자 도너-억셉터가 도입된 저분자 유기물
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하기 화학식 1-3로 표시되는 벤조싸이아다이아졸 유도체 화합물을 제조하는 단계; 상기 벤조싸이아다이아졸 유도체 화합물과 하기 화학식 1-4, 1-5 및 1-6로 표시되는 군에서 선택되는 억셉터 화합물을 C-H 아릴화 반응시켜 하기 화학식 2-1, 3-1 및 4-1로 표시되는 전자 도너-억셉터가 도입된 저분자 유기물을 각각 제조하는 단계를 포함하는 전자 도너-억셉터가 도입된 저분자 유기물 합성방법:[화학식 1-3][화학식 1-4] [화학식 1-5][화학식 1-6][화학식 2-1][화학식 3-1][화학식 4-1]
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제6항에 있어서,상기 C-H 아릴화 반응은 Pd(OAc)2 촉매하에서 수행되는 것인 전자 도너-억셉터가 도입된 저분자 유기물 합성방법
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8
양극;상기 양극과 대향하는 음극; 및상기 양극과 상기 음극 사이에 위치하고, 전자 주개층과 전자 받개층을 포함하는 광활성층을 포함하되,상기 전자 주개층은 제2항 내지 제4항, 제6항 및 제7항 중 어느 한 항에 의한 저분자 유기물을 포함하고, 상기 전자 받개층은 전자 받개 물질을 포함하는 것인 유기 광전자 소자
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제8항에 있어서, 상기 전자 받개 물질은 C60, C70, C76 및 C84의 풀러렌(fullerene), PCBM([6,6]-phenyl-C61-butyric acid methylester), PCBM([6,6]-phenyl-C71-butyric acid methyl ester), 페릴렌, PTCDA(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic dianhydride) 또는 PTCBI(3,4,9,10-perylenetetracarboxylic bisbenzimidazole)을 포함하는 것인 유기 광전자 소자
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