| 1 |
1
인가되는 전압에 의해 벤딩 동작을 수행하는 압전 기판;상기 압전 기판 상에 형성되고 상기 압전 기판에 접합된 본딩층; 및상기 본딩층 상에 접합되며, 상기 압전 기판의 벤딩에 의해 발광 파장이 변경되는 발광 구조체를 포함하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서, 상기 압전 기판은,제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 제1 압전층;상기 제1 압전층 상에 형성된 중간 전극; 및상기 중간 전극 상에 형성된 제2 압전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 3 |
3
제2항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 중간 전극 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제1 압전층은 무변형이고, 상기 중간 전극과 상기 본딩층 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제2 압전층은 팽창 변형이 수행되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 4 |
4
제2항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 중간 전극 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제1 압전층은 수축 변형되고, 상기 중간 전극과 상기 본딩층 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제2 압전층은 무변형 또는 팽창 변형이 수행되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 5 |
5
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 압전 기판에 의해 상기 발광 구조체는 팽창 변형이 발생되고 발광 파장은 단파장으로 이동되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 6 |
6
제2항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 중간 전극 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제1 압전층은 무변형이고, 상기 중간 전극과 상기 본딩층 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제2 압전층은 수축 변형이 수행되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 7 |
7
제2항에 있어서, 상기 제1 전극과 상기 중간 전극 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제1 압전층은 팽창 변형되고, 상기 중간 전극과 상기 본딩층 사이에 인가되는 전압에 의하여 상기 제2 압전층은 무변형 또는 수축 변형이 수행되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 8 |
8
제3항 또는 제4항에 있어서, 상기 압전 기판에 의해 상기 발광 구조체는 수축 변형이 발생되고 발광 파장은 장파장으로 이동되는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 9 |
9
제2항에 있어서, 상기 압전 기판은 상기 제2 압전층 상에 형성된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자
|
| 10 |
10
성장 기판 상에 n형 반도체층, 활성층 및 p형 반도체층을 순차적으로 형성하여 에피 구조층을 형성하는 단계;압전 기판 상에 형성된 본딩층 상에 상기 에피 구조층의 상기 p형 반도체층이 접합되도록 접합 공정을 수행하는 단계;상기 본딩층에 접합된 에피 구조층으로부터 상기 성장 기판을 분리하는 단계; 및상기 에피 구조층에 대한 선택적 식각을 통해 상기 본딩층의 일부를 노출하고, 상호 이격된 발광 구조층을 상기 본딩층 상에 형성하는 단계를 포함하는 파장 가변형 발광 소자의 제조방법
|
| 11 |
11
제10항에 있어서, 상기 압전 기판은,제1 전극;상기 제1 전극 상에 형성된 제1 압전층;상기 제1 압전층 상에 형성된 중간 전극; 및상기 중간 전극 상에 형성되고, 상기 본딩층과 전기적으로 연결된 제2 압전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자의 제조방법
|
| 12 |
12
제11항에 있어서, 상기 압전 기판은 상기 제2 압전층과 상기 본딩층 사이에 형성된 제2 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 파장 가변형 발광 소자의 제조방법
|
