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스핀 열전 소자 및 이의 제조방법(SPIN THERMOELECTRIC AND THE FABRICATION METHOD THEREOF)

  • 기술번호 : KST2016020960
  • 담당센터 : 서울동부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-2155-3662
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 스핀 열전 소자에 관한 것이다. 본 발명에 따른 스핀 열전 소자는, 졸-겔법에 의해 형성되고, 열원에 의한 온도 구배에 의해 스핀 지벡 효과가 발현되는 물질로 구성된 열전층; 및 상기 열전층 상에 형성되고, 양단부에 연결된 도선을 통해 외부로 전기를 전달하는 전극층;을 포함한다. 이러한 스핀 열전 소자는 태양광 또는 태양전지를 이용한 하이브리드 태양과 소자에 사용할 수 있다.
Int. CL H01L 35/02 (2006.01) H01L 35/14 (2006.01) H01L 35/34 (2006.01)
CPC H01L 35/02(2013.01) H01L 35/02(2013.01) H01L 35/02(2013.01) H01L 35/02(2013.01)
출원번호/일자 1020150083883 (2015.06.15)
출원인 울산과학기술원, 한국과학기술연구원
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2016-0147314 (2016.12.23) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 공개
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020170095244;
심사청구여부/일자 Y (2015.06.15)
심사청구항수 12

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 대한민국 울산광역시 울주군
2 한국과학기술연구원 대한민국 서울특별시 성북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이기석 대한민국 울산광역시 울주군
2 백정민 대한민국 울산광역시 울주군
3 장민선 대한민국 울산광역시 북구
4 백승협 대한민국 서울특별시 성북구
5 최원준 대한민국 서울특별시 도봉구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 장한특허법인 대한민국 서울특별시 서초구 서초대로 ***, **층 (서초동, 서초지웰타워)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2015.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2015-0571779-95
2 보정요구서
Request for Amendment
2015.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2015-0101095-11
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2015.07.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0699523-82
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2016.02.05 수리 (Accepted) 1-1-2016-0129672-42
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2016.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2016.06.10 수리 (Accepted) 9-1-2016-0024572-54
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2016.10.19 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2016-0748704-69
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.24 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2016-1028708-30
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2016.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2016-1046429-18
11 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document
2016.10.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0155497-06
12 서류반려통지서
Notice for Return of Document
2016.12.06 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2016-0173744-01
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2016.12.19 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2016-1241370-98
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2016.12.19 수리 (Accepted) 1-1-2016-1241363-78
15 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.04.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0292722-08
16 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2017.05.25 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2017-0498470-15
17 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2017.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2017-0498465-97
18 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2017.06.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2017-0446004-57
19 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2017.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2017-0724274-64
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.03 수리 (Accepted) 4-1-2020-5148444-43
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.20 수리 (Accepted) 4-1-2020-5186266-03
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
졸-겔법에 의해 형성되고, 열원에 의한 온도 구배에 의해 스핀 지벡 효과가 발현되는 물질로 구성된 열전층; 및상기 열전층 상에 형성되고, 양단부에 연결된 도선을 통해 외부로 전기를 전달하는 전극층;을 포함하는 스핀 열전 소자
2 2
제1항에 있어서,상기 전극층은 주전극부; 및 상기 주전극부와 연결된 복수의 부전극부를 포함하며,상기 부전극부는 균일한 간격을 이루어 복수개로 형성된 스핀 열전 소자
3 3
제2항에 있어서,상기 전극층을 구성하는 주전극부와 부전극부는 동일 또는 유사한 두께로 형성된 스핀 열전 소자
4 4
제3항에 있어서,상기 전극층은, 5㎚ 이상 또는 20㎚ 이하로 형성된 스핀 열전 소자
5 5
제1항에 있어서,상기 열원은 태양광인 스핀 열전 소자
6 6
제1항에 있어서,상기 열원은 CPV(Concentrator Photovoltaics)이고, 상기 CPV는 상기 스핀 열전 소자의 전극층 상에 상기 CPV가 부착되어 하이브리드 소자를 형성하는 스핀 열전 소자
7 7
제5항 또는 제6항에 있어서,상기 스핀 열전 소자는 상기 열전층 상에 온도 구배를 형성할 때, 두께 방향(longitudinal SSE)과 면방향(transverse SSE)으로 온도 구배를 형성하는 스핀 열전 소자
8 8
제1항에 있어서,상기 열전층의 재질은 YIG(Y3Fe5O12, Yttrium Iron Garnet)로 구성된 스핀 열전 소자
9 9
YIG 재료를 혼합하고, 졸-겔법에 의해 YIG 파우더가 형성되는 단계;상기 YIG 파우더를 칼시네이션 공정에 의해 1차 열처리하는 단계;상기 열처리된 YIG 파우더가 프레싱 공정에 의해 YIG 필렛으로 형성되는 단계;상기 YIG 필렛을 신터링 공정에 의해 2차 열처리하여 열전층을 제조하는 단계; 및상기 열전층 상에 전극층을 형성하는 단계;를 포함하는 스핀 열전 소자의 제조방법
10 10
제9항에 있어서,상기 1차 열처리하는 단계에서,상기 1차 열처리 온도는 850℃이고, 상기 칼시네이션 공정은 850℃로 2시간동안 수행되는 스핀 열전 소자의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 2차 열처리하는 단계에서,상기 2차 열처리 온도는 1400℃이고, 상기 신터링 공정은 1400℃로 2시간동안 수행되는 스핀 열전 소자의 제조방법
12 12
제9항에 있어서,상기 졸-겔법에 의해 YIG 파우더가 형성되는 단계에서,상기 YIG 재료는 물에 구연산이 혼합된 용액에 질산이트륨(Yttrium nitrate)과 질산철(Iron nitrate)을 혼합하여 저온에서 합성된 스핀 열전 소자의 제조방법
13 13
제9항에 있어서,상기 전극층은 포토리소그래피(Photolithography) 공정과 DC 스퍼터링 공정에 의해서 형성된 스핀 열전 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR101780943 KR 대한민국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
DOCDB 패밀리 정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 미래창조과학부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 신진연구 순수 스핀 전류를 이용한 신개념의 정보 전달/처리 소자 기반 기술