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(a) 금속 산화물 전구체를 유기용매에 용해시켜 금속 산화물 전구체 용액을 제조하는 단계;(b) 고분자 기판 위에 상기 금속 산화물 전구체 용액을 코팅하여 용액이 코팅된 고분자 기판을 제조하는 단계; 및(c) 상기 용액이 코팅된 고분자 기판을 열처리하면서 광조사하여 금속산화물을 포함하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체를 제조하는 단계;를포함하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체가 Al(NO3)3, Ti[OCH(CH3)2]4, Zr(C5H7O2)4, Hf(OCH(CH3)2)4, Al(OH)3, Ti(OC4H9)4, 및 ZrO(NO3)2 수화물, 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 산화물이 Al2O3, TiO2, HfO2, 및 ZrO2 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기용매가 알코올계 용매인 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 알코올계 용매가 메탄올, 에탄올, 프로판올, 이소프로판올, 부탄올, 이소부탄올, t-부탄올, 펜탄올, 2-메톡시에탄올, 1-메톡시-2-프로판올 및 3-메톡시-1-부탄올 중에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 고분자 기판이 플렉서블 고분자 기판인 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제6항에 있어서,상기 플렉서블 고분자 기판이 폴리에틸렌테레프탈레이드(PET), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르설폰(PES), 폴리카보네이트(PC), 폴리아릴레이트(PAR), 및 폴리이미드 (PI) 중에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 b의 상기 코팅이 스핀코팅, 잉크젯 프린팅, 딥 코팅, 드롭 캐스팅, 바 코팅, 및 슬롯다이 코팅 중에서 선택된 어느 하나의 방법으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 열처리가 80 내지 180℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 열처리가 5 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 광조사가 자외선에 의한 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제11항에 있어서,상기 광조사가 100 내지 300nm의 파장을 갖는 자외선으로 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 광조사가 5 내지 60분 동안 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제9항에 있어서,상기 열처리와 상기 광조사가 동시에 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b) 이후, 상기 용액이 코팅된 고분자 기판을 건조하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제15항에 있어서,상기 건조가 30 내지 100℃에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (c)가 질소 기체 또는 비활성 기체 중에서 선택된 어느 하나의 기체 분위기 하에서 수행되는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항에 있어서,단계 (b)와 단계 (c)의 과정을 복수 회 수행하여 상기 수분차단막의 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법
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제1항의 수분차단막이 형성된 수분차단용 고분자 적층체의 제조방법을 포함하는 전자소자의 제조방법
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제19항에 있어서,상기 전자소자가 터치패널, 전기 발광 디스플레이, 백라이트, 전파 식별(RFID) 태그, 태양전지모듈, 전자종이, 평면 디스플레이용 TFT, 및 TFT 어레이 중에서 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 전자소자의 제조방법
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