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금속 전구체, 금속산화물 전구체 및 유기 고분자를 증류수 또는 유기 용매에 용해 또는 혼합하여 프린팅 용액을 준비하는 단계;상기 프린팅 용액을 기판 위에 적하하여 금속 전구체/금속 산화물 전구체/유기 고분자 복합 나노선 패턴을 형성하는 단계; 및상기 금속 전구체/금속 산화물 전구체/유기 고분자 복합 나노선 패턴에서 상기 유기 고분자를 제거하고 상기 금속 전구체 및 금속 산화물 전구체를 환원시켜서 금속/금속산화물 복합 나노선 패턴을 형성하는 단계를 포함하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체 및 금속산화물 전구체는 환원 공정 이후에 각각 금속 및 반도체성 금속산화물로 환원되는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체는 Au, Ag, Fe, Ni, Pt, Cu, Pd, Al, Ca, W, Zn, Li, Sn, Ti, Cr, Mo, Mn 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 금속의 전구체인 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제2항에 있어서,상기 반도체성 금속산화물은 아연산화물, 인듐산화물, 주석산화물, 알루미늄산화물, 텅스텐산화물, 티타늄산화물, 바나듐산화물, 물리브데늄산화물, 구리산화물, 니켈산화물, 철산화물, 크롬산화물, 코발트산화물, 마그네슘산화물, 철산화물, 은산화물 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나 이상의 금속 산화물을 포함하는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속산화물 전구체는 p형 금속 산화물 전구체 또는 n형 금속 산화물 전구체를 포함하고,상기 금속 전구체 대비 상기 금속산화물 전구체의 비율에 따라 일함수 제어가 가능한 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속산화물 전구체가 p형 금속 산화물 전구체를 포함하는 경우,상기 금속 전구체 대비 상기 p형 금속 산화물 전구체의 비율이 증가할수록 일함수가 높아지는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제5항에 있어서,상기 금속산화물 전구체가 n형 금속 산화물 전구체를 포함하는 경우,상기 금속 전구체 대비 상기 n형 금속 산화물 전구체의 비율이 증가할수록 일함수가 낮아지는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기 고분자는 폴리비닐알코올, 폴리비닐아세테이트, 폴리(p-페닐렌 비닐렌), 폴리하이드록시에틸메타클릴레이트, 폴리에틸렌 옥사이드, 폴리스티렌, 폴리카프로락톤, 폴리아크릴로니트릴, 폴리(메틸 메타크릴레이트), 폴리이미드, 폴리(비닐리덴 플루오라이드), 폴리아닐린, 폴리비닐클로라이드, 나일론, 폴리아크릴산, 폴리클로로스티렌, 폴리디메틸실록산, 폴리에테르이미드, 폴리에테르술폰, 폴리알킬아크릴레이트, 폴리에틸아크릴레이트, 폴리에틸비닐아세테이트, 폴리에틸-co-비닐아세테이트, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리락트산-co-글리콜산, 폴리메타크릴산염, 폴리메틸스티렌, 폴리스티렌술폰산염, 폴리스티렌술포닐플루오라이드, 폴리스티렌-co-아크릴로니트릴, 폴리스티렌-co-부타디엔, 폴리스티렌-co-디비닐벤젠, 폴리락타이드, 폴리아크릴아미드, 폴리벤즈이미다졸, 폴리카보네이트, 폴리디메틸실록산-co-폴리에틸렌옥사이드, 폴리에테르에테르케톤, 폴리에틸렌, 폴리에틸렌이민, 폴리이소프렌, 폴리락타이드, 폴리프로필렌, 폴리술폰, 폴리우레탄, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리비닐카바졸로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 유기용매는 다이클로로에틸렌, 트라이클로로에틸렌, 클로로포름, 클로로벤젠, 다이클로로벤젠, 스타이렌, 다이메틸포름아마이드, 다이메틸설폭사이드, 자일렌, 톨루엔, 사이클로헥센, 이소프로필알콜, 에탄올, 메탄올, 테트라하이드로퓨란, 이소프로필알코올, 테르피네올, 에틸렌글리콜, 다이에틸렌글리콜, 폴리에틸렌글리콜, 아세토나이트릴, 및 아세톤으로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체 또는 금속산화물 전구체는 상기 유기용매에 용해되는 화합물 또는 유기용매에 분산되는 나노파티클, 나노와이어, 나노파이버, 나노튜브, 나노플레이크 또는 나노시트인 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 프린팅 용액을 준비하는 단계는, 상기 금속 전구체와 금속 산화물 전구체의 중량비는 1:1 내지 1:0
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체/금속 산화물 전구체/유기 고분자 복합 나노선 패턴을 형성하는 단계는,상기 기판으로부터 수직으로 10 ㎛ 내지 20 mm 떨어진 지점에서 전압이 인가된 노즐에서 상기 프린팅 용액이 토출되어 상기 기판으로 적하하면서 상기 기판 또는 상기 노즐이 이동되며 정렬된 금속 전구체/금속 산화물 전구체/유기 고분자 복합 나노선 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,상기 금속 전구체/금속산화물 전구체/유기 고분자 복합 나노선 패턴을 형성하는 단계는 전기장 보조 로보틱 노즐 프린팅, 전기방사, 잉크젯 프린팅, 딥펜프린팅 또는 전기수력학적 젯 프린팅 방법을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제1항에 있어서,금속/금속산화물 복합 나노선 패턴을 형성하는 단계는 열처리 공정, 환원제 처리 공정 또는 광 조사 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제13항에 있어서,상기 열처리 공정은 50 ℃ 내지 900 ℃의 온도범위에서 5 분 내지 8 시간 동안, 공기, 산소, 질소, 아르곤, 및 수소로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 가스 분위기에서, 1회 내지 5회 가열하는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제13항에 있어서,상기 환원제 처리 공정은 하이드라진, 폼산, 아스코빅산, 옥살산, 탄소, 일산화탄소, 포름알데히드, 아세트알데히드, 수소, 수소화합물, 이산화황, 아황산염, 황화나트륨, 폴리황화나트륨, 황화암모늄, 황 화합물, 알칼리금속, 마그네슘, 마그네슘 아말감, 칼슘, 칼슘아말감, 알루미늄, 알루미늄 아말감, 아연, 아연 아말감, 아인산염, 차아인산염, 아인산, 황화철, 나트륨, 나트륨 화합물, 수소화붕소나트륨, 철, 철화합물, 주석, 주석화합물, 티탄, 티탄화합물, 크롬, 크롬 화합물, 시스테인, 아세틸시스테인, 시스테인에이치씨엘, 치오글라이콜릭액시드, 암모늄치오글라이콜레이트, 암모늄치오락테이트, 에탄올아민치오글라이콜레이트, 시스테아민에이치씨엘, 글루타치온 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택되는 적어도 하나를 포함하는 환원제의 증기를 사용하거나 환원제에 침적시키는 것을 특징으로 하는 일함수 제어가 가능한 금속 나노선 전극 어레이 제조방법
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제13항에 있어서,상기 광조사 공정은 엑시머 레이저, 적외선 레이저, 또는 UV 레이저를 이용하여 200 nm 내지 500 ㎛의 파장 범위에서 0
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양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 발광층을 포함하고,상기 양극 및 음극 중 적어도 어느 하나의 전극은 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 금속 나노선 전극 어레이인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
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양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 광활성층을 포함하고,상기 양극 및 음극 중 적어도 어느 하나의 전극은 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 금속 나노선 전극 어레이인 것을 특징으로 하는 태양전지
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양극, 음극 및 상기 양극과 음극 사이에 위치하는 활물질층을 포함하고,상기 양극 및 음극 중 적어도 어느 하나의 전극은 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 금속 나노선 전극 어레이인 것을 특징으로 하는 전기화학셀
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게이트 전극, 게이트 절연층, 소스 전극, 드레인 전극 및 유기, 무기 또는 유무기 하이브리드 반도체층을 포함하고, 상기 게이트 전극, 소스 전극 및 드레인 전극 중 적어도 어느 하나의 전극은 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 금속 나노선 전극 어레이인 것을 특징으로 하는 전계 효과 트랜지스터
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