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나노 갭 구조체로서, 상기 나노 갭 구조체는 금속 코아와 쉘을 가지는 나노 입자로부터 쉘이 제거된 코아 입자들의 집합체를 포함하고, 상기 집합체에는 쉘이 제거된 금속 코아 입자와 금속 코아 입자 간에 보이드가 형성되어 있으며, 상기 보이드의 크기는 쉘에 의한 이격 간격보다 작은 크기로서, 2nm 이하이고,상기 보이드에 의하여 나노 갭이 제공된 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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제 1 항에 있어서, 금속 코아 입자들의 집합체는 금속 코아 입자들의 단일층(monolayer)을 이루는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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제 1 항에 있어서, 금속 코아 입자와 금속 코아 입자 상호 간에 반데르 발스 힘이 작용하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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제 1 항에 있어서, 금속 코어는 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 금속으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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제 6 항에 있어서,금속 코아 입자는 10-150 nm 크기의 직경을 가지고, 보이드는 1~2nm의 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 보이드에 의한 나노 갭은 쉘이 제거되기 전과 비교하여 추가적인 증강 인자(additional enhancement factor)를 나타내는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 보이드에 의한 나노 갭은 근접장 증강(near-filed enhancement)을 나타내는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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제 1 항에 있어서, 상기 보이드에 의한 나노 갭에서 분자들의 확산 제한이 없는 자유 확산을 나타내는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체
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나노 갭 구조체의 제조 방법으로서, 금속 코아와 쉘을 가지는 나노 입자로부터 쉘을 제거하여 금속 코아 입자와 금속 코아 입자 간에 보이드를 형성하는 것이고, 상기 보이드에 의하여 나노 갭이 제공되는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 11 항에 있어서,상기 방법은 금속 코아와 쉘을 가지는 나노 입자들의 단일층을 형성하는 단계; 상기 단일층을 기판에 전사하는 단계; 및기판상에 위치한 금속 코아와 쉘을 가지는 나노 입자들의 단일층으로부터 쉘을 에칭으로 제거하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,공기/액체 계면에서 자가 조립에 의하여 금속 코아와 쉘을 가지는 나노 입자들의 단일층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 13 항에 있어서,계면을 형성하는 헥산 및 물의 혼합물에 금속 코아와 쉘을 가지는 나노 입자들을 넣고, 에탄올을 첨가한 후 헥산을 휘발시켜 공기/물의 계면에서 금속 코아와 쉘을 가지는 나노 입자들의 단일층을 형성하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 단일층에서 나노 입자들은 밀접 팩킹(close-packing) 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 11 항에 있어서,금속 코어는 Au, Ag, Cu, Pt 및 Pd로 이루어진 그룹에서 선택된 하나 이상의 금속로 이루어지는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 16 항에 있어서,금속 코아 입자는 10-150 nm 크기의 직경을 가지는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 16 항 또는 제 17 항에 있어서,쉘은 Au, Ag, Cu, Pt, Pd, Si (silicon), SiO2 (siilca), Al(alumina), Al2O3 (aluminium oxide), PS (Polystyrene), Ti (titanium), TiO2 (titanium dioxide)로 이루어진 그룹에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 18 항에 있어서,쉘은 1~20 nm 크기를 가지는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 기판은 고체 기판인 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 20 항에 있어서,상기 기판은 PDMS (Polydimethylsiloxane) 기판, PMMA (Poly(methylmethacrylate) 기판, PS (Polystyrene) 기판, Si (silicon) 기판, Ge(germanium) 기판, 유리기판 또는 ITO (Indium tin oxide) 기판인 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 20 항에 있어서,상기 고체 기판을 화학적으로 개질하여 나노 입자들과의 결합력을 향상하는 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 에칭은 화학적 에칭, 이온 빔 에칭 또는 전자 빔 에칭 중 하나 이상인 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제 12 항에 있어서,상기 에칭은 염기성 용액을 제공하여 에칭하는 화학적 에칭인 것을 특징으로 하는 나노 갭 구조체 제조 방법
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제1항 내지 제3항 및 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항의 나노 갭 구조체를 포함하는 것을 특징으로 하는 분자 검출 장치
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제 25 항에 있어서, 검출 대상 분자가 생체 분자인 것을 특징으로 하는 분자 검출 장치
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제 25 항에 있어서, 분자 검출 장치는 표면 증강 산란 분광법 (Surface Enhanced Raman Spectroscopy, SERS)을 이용하여 라만 신호를 검출하는 장치인 것을 특징으로 하는 분자 검출 장치
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제1항 내지 제3항 및 제6항 내지 제10항 중 어느 한 항의 나노 갭 구조체를 이용하여 분자를 검출하는 것을 특징으로 하는 분자 검출 방법
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